CSD87312Q3E的基本参数
- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD87312Q3E的产品详情：
CSD87312Q3E 是一款设计用于适配器 / USB 输入保护的 30V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。
R=63°C/W，这是在厚度为 0.060" 的环氧板印刷电路板 (FR4PCB) 上 1 in²（2 盎司）铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% 。
CSD87312Q3E的优势和特性：
- 共源连接
- 超低漏极到漏极导通电阻
- 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
CSD87312Q3E的参数（英文）：
- VDS (V)
- 30
- Configuration
- Dual Common Source
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 38
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 45
- QG typ (nC)
- 6.3
- QGD typ (nC)
- 0.7
- QGS typ (nC)
- 1.9
- Package (mm)
- SON3x3
- VGS (V)
- 10
- VGSTH typ (V)
- 1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 27
- ID - package limited (A)
- 27
- Logic level
- Yes
CSD87312Q3E具体的完整产品型号参数及价格（美元）：
CSD87312Q3E的完整型号有：CSD87312Q3E，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD87312Q3E，工作温度：-55 to 150，封装： (DPB)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD87312Q3E的批量USD价格：0.53（1000+）
CSD87312Q3E的评估套件：
CSD87312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。CSD87312Q3E的电路图解：
CSD87312Q3E的评估套件：
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