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CSD87313DMS的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
  • 功能描述:采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD87313DMS的产品详情:

CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双路 N 通道器件,专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3mm × 3.3mm SON 器件具有低源极至源极导通电阻,可最大限度地较少损耗,且具有较少的组件数量,适用于空间受限的 应用。

CSD87313DMS的优势和特性:
  • 低源极至源极导通电阻
  • 双共漏极 N 通道 MOSFET
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
CSD87313DMS的参数(英文):
  • VDS (V)
  • 30
  • Configuration
  • Dual Common Drain
  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
  • 5.5
  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)
  • 120
  • QG typ (nC)
  • 28
  • QGD typ (nC)
  • 6
  • QGS typ (nC)
  • 6.3
  • Package (mm)
  • SON3x3
  • VGS (V)
  • 10
  • VGSTH typ (V)
  • 0.9
  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
  • 17
  • ID - package limited (A)
  • 17
  • Logic level
  • Yes
CSD87313DMS具体的完整产品型号参数及价格(美元):

CSD87313DMS的完整型号有:CSD87313DMS、CSD87313DMST,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

CSD87313DMS,工作温度:-55 to 150,封装: (DMS)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD87313DMS的批量USD价格:.61(1000+)

CSD87313DMST,工作温度:-55 to 150,封装: (DMS)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD87313DMST的批量USD价格:.732(1000+)

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CSD87313DMS Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

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