CSD87313DMS的基本参数
- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD87313DMS的产品详情：
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双路 N 通道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3mm × 3.3mm SON 器件具有低源极至源极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。
CSD87313DMS的优势和特性：
- 低源极至源极导通电阻
- 双共漏极 N 通道 MOSFET
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
CSD87313DMS的参数（英文）：
- VDS (V)
- 30
- Configuration
- Dual Common Drain
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 5.5
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 120
- QG typ (nC)
- 28
- QGD typ (nC)
- 6
- QGS typ (nC)
- 6.3
- Package (mm)
- SON3x3
- VGS (V)
- 10
- VGSTH typ (V)
- 0.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 17
- ID - package limited (A)
- 17
- Logic level
- Yes
CSD87313DMS具体的完整产品型号参数及价格（美元）：
CSD87313DMS的完整型号有：CSD87313DMS、CSD87313DMST，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD87313DMS，工作温度：-55 to 150，封装： (DMS)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD87313DMS的批量USD价格：.61（1000+）
CSD87313DMST，工作温度：-55 to 150，封装： (DMS)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD87313DMST的批量USD价格：.732（1000+）
CSD87313DMS的评估套件：
CSD87313DMS Unencrypted PSpice Model (Rev. B)
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。CSD87313DMS的电路图解：
CSD87313DMS的评估套件：
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