CSD87334Q3D的基本参数
- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:MOSFET - 电源块
- 功能描述:采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
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CSD87334Q3D的产品详情:
CSD87334Q3D NexFET™电源块是面向同步降压和升压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与外部控制器或驱动器配合使用时, 可在高占空比应用中 提供灵活的解决方案
CSD87334Q3D的优势和特性:
- 半桥电源块
- 针对高占空比进行了优化
- 输入电压高达 24V
- 12A 电流时系统效率达 96.1%
- 12A 电流时,PLoss 为 1.6W
- 工作电流高达 20A
- 高频工作(高达 1.5MHz)
- 高密度 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
CSD87334Q3D的参数(英文):
- VGS (V)
- 10
- VDS (V)
- 30
- Power loss (W)
- 1.6
- Ploss current (A)
- 12
- ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
- 20
- Operating temperature range (C)
- -55 to 150
- Features
- Motor control, Power supply
- Duty cycle (%)
- High
CSD87334Q3D具体的完整产品型号参数及价格(美元):
CSD87334Q3D的完整型号有:CSD87334Q3D、CSD87334Q3DT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
CSD87334Q3D,工作温度:-55 to 150,封装: (DPB)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网CSD87334Q3D的批量USD价格:.477(1000+)
CSD87334Q3DT,工作温度:-55 to 150,封装: (DPB)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD87334Q3DT的批量USD价格:.572(1000+)
CSD87334Q3D的评估套件:
CSD87334Q3D Unencrypted PSpice Model (Rev. A)
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具
适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。CSD87334Q3D的电路图解:
CSD87334Q3D的评估套件:
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