TI代理,常备极具竞争力的充足现货
TI哪些型号被关注? TI热门产品型号
CSD87353Q5D的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:MOSFET - 电源块
  • 功能描述:采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
  • 点击这里打开及下载CSD87353Q5D的技术文档资料
  • TI代理渠道,提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
快速报价,在行业拥有较高的知名度及影响力
CSD87353Q5D的产品详情:

CSD87353Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

CSD87353Q5D的优势和特性:
  • 输入电压高达 27V
  • 半桥电源块
  • 25A 电流时系统效率为 95%
  • 工作电流高达 40A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
CSD87353Q5D的参数(英文):
  • VGS (V)
  • 10
  • VDS (V)
  • 30
  • Power loss (W)
  • 3.3
  • Ploss current (A)
  • 25
  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
  • 40
  • Operating temperature range (C)
  • -55 to 150
  • Features
  • Motor control, Power supply
  • Duty cycle (%)
  • High
CSD87353Q5D具体的完整产品型号参数及价格(美元):

CSD87353Q5D的完整型号有:CSD87353Q5D,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

CSD87353Q5D,工作温度:-55 to 150,封装: (DQY)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网CSD87353Q5D的批量USD价格:.996(1000+)

轻松满足您的TI芯片采购需求
CSD87353Q5D的评估套件:

CSD87353Q5D Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

这是一款在双相拓扑中使用 TPS40322 的同步降压参考设计。它专用于 12V 标称输入电压并输出 5V 的电压,能够在两个相位上提供高达 45A 的合并电流并具有出色的电流共享功能。满载效率为 96.7%,从而提供出色的热性能以及纹波和瞬态性能。

PMP10594 — 效率高达 97% 的 125W 宽输入同步 4 开关降压/升压电池充电器参考设计

PMP10594 是一款采用 LM5175 控制器的同步 4 开关降压/升压转换器参考设计,适用于电池充电器应用。此设计可通过 PWM 信号在 7.1V 至 9.2V 范围内调节输出电压设定点。通过 I2C 编程可以独立控制平均输入电流和充电电流。满量程输入电流限制为 6A,而充电电流可编程为 12.5A。LM5175 平均电流环路将最大输出电流设定为 20A,在正常情况下应该涉及不到此最大输出电流。电流模式控制器内置额外的逐脉冲限流功能,使其成为非常强大的设计。如果电池电压低于 6V,则使用电池断开开关进行涓流充电。

TIDA-00448 — 具有增强型数字隔离器的灵活型高电流 IGBT 栅极驱动器参考设计

TIDA-00448 参考设计是带有双极性闸极电压的隔离式 IGBT 闸极驱动程序,旨在用于驱动所需高峰值闸极电流高达 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 电源块就在此范围内,具有相同的封装,能让单个设计用于具有不同额定功率的多驱动器平台。数字隔离器用于实现瞬态浪涌额定值为 8kV 且共模瞬变抗扰度 (CMTI) 为 50kV 的增强型隔离。该设计包含了使用快速瞬态响应比较器的 DESAT 保护。DESAT 检测阈值和软关闭时间都是可配置的。该设计可连接来自 3.3 V 和 5 V MCU 的 PWM,并同时连接故障、重置和 UVLO 反馈。
TI代理|TI中国代理 - 国内领先的TI芯片采购平台
丰富的可销售TI代理库存,专业的销售团队可随时响应您的紧急需求,目标成为有价值的TI代理