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CSD87355Q5D的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:MOSFET - 电源块
  • 功能描述:采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
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CSD87355Q5D的产品详情:

CSD87355Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。

CSD87355Q5D的优势和特性:
  • 半桥电源块
  • 25A 电流时系统效率达 92.5%
  • 工作电流高达 45A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
CSD87355Q5D的参数(英文):
  • VGS (V)
  • 10
  • VDS (V)
  • 30
  • Power loss (W)
  • 2.8
  • Ploss current (A)
  • 25
  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
  • 45
  • Operating temperature range (C)
  • -55 to 150
  • Features
  • Power supply
  • Duty cycle (%)
  • Low
CSD87355Q5D具体的完整产品型号参数及价格(美元):

CSD87355Q5D的完整型号有:CSD87355Q5D、CSD87355Q5DT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

CSD87355Q5D,工作温度:-55 to 150,封装: (DQY)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网CSD87355Q5D的批量USD价格:0.92(1000+)

CSD87355Q5DT,工作温度:-55 to 150,封装: (DQY)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网CSD87355Q5DT的批量USD价格:1.104(1000+)

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CSD87355Q5D的评估套件:

CSD87355Q5DEVM-820 — CSD87355Q5D 同步降压转换器评估模块

The CSD87355Q5DEVM-820 evaluation module (EVM) is a synchronous buck converter featuring TI's NexFET PowerBlock technology to provide a high current, ultra-high density power supply solution. The EVM provides a 1.2V output at 25A from a 12V input bus at over 92% efficiency.

CSD87355Q5D Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

此参考设计通过 TPS43061 升压控制器,提供适用于中等功率音频功率放大器 (PA) 应用的包络跟踪电源电路。通过向 FB 引脚添加音频包络信号,升压转换器的输出电压可按照音频信号的包络进行更改。因此升压转换器可向 PA 提供动态变化的电源电压。因而 PA 可以在整个输出功率范围内始终保持高效率运行。
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