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CSD87501L的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
  • 功能描述:采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD87501L的产品详情:

此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件具有小尺寸和共漏极配置,非常适用于多节电池组 应用 和小型手持设备。




CSD87501L的优势和特性:
  • 低导通电阻
  • 3.37mm × 1.47mm 的小尺寸
  • 超薄 – 高 0.2mm
  • 无铅
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • 栅极 ESD 保护
CSD87501L的参数(英文):
  • VDS (V)
  • 30
  • Configuration
  • Dual Common Drain
  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
  • 5.5
  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
  • 3.9
  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)
  • 72
  • QG typ (nC)
  • 15
  • QGD typ (nC)
  • 6
  • QGS typ (nC)
  • 5
  • Package (mm)
  • LGA 3.4x1.5mm
  • VGS (V)
  • 20
  • VGSTH typ (V)
  • 1.8
  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
  • 14
  • ID - package limited (A)
  • 14
  • Logic level
  • Yes
CSD87501L具体的完整产品型号参数及价格(美元):

CSD87501L的完整型号有:CSD87501L、CSD87501LT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

CSD87501L,工作温度:PropertyValue,封装: (YJG)-10,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIAU,TI官网CSD87501L的批量USD价格:.295(1000+)

CSD87501LT,工作温度:-55 to 150,封装: (YJG)-10,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIAU,TI官网CSD87501LT的批量USD价格:.354(1000+)

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CSD87501L的评估套件:

BQ27750EVM-837 — BQ27750 1 节电池可编程电池管理器评估模块

The BQ27750EVM-837 evaluation module (EVM) is a complete evaluation system for the bq27750 battery management system. The EVM includes one bq27750 circuit module and a link to Windows® based PC software. The circuit module includes one bq28z610 integrated circuit (...)

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CSD87501L Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

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