CSD87503Q3E的基本参数
- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD87503Q3E的产品详情：
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。
CSD87503Q3E的优势和特性：
- 双 N 沟道共源极 MOSFET
- 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
- 低热阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
CSD87503Q3E的参数（英文）：
- VDS (V)
- 30
- Configuration
- Dual Common Source
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 21.9
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
- 16.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 89
- QG typ (nC)
- 13.4
- QGD typ (nC)
- 5.8
- QGS typ (nC)
- 4.8
- Package (mm)
- SON3x3
- VGS (V)
- 20
- VGSTH typ (V)
- 1.7
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 10
- ID - package limited (A)
- 10
- Logic level
- Yes
CSD87503Q3E具体的完整产品型号参数及价格（美元）：
CSD87503Q3E的完整型号有：CSD87503Q3E、CSD87503Q3ET，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD87503Q3E，工作温度：-55 to 150，封装： (DTD)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD87503Q3E的批量USD价格：.48（1000+）
CSD87503Q3ET，工作温度：-55 to 150，封装： (DTD)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD87503Q3ET的批量USD价格：.576（1000+）
CSD87503Q3E的评估套件：
CSD85703Q3E Unencrypted PSpice Model
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。CSD87503Q3E的电路图解：
CSD87503Q3E的评估套件：
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