此 CSD87588N NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 5 mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，这款产品可提供高效且灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器成对使用时，均可提一个供高密度电源。

• 半桥电源块
• 电流 20A 时，系统效率达到 90%
• 高达 25A 的工作电流
• 高密度 - 5mm × 2.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
• 双侧冷却能力
• 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 低开关损耗
• 低电感封装
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 无铅

应用范围

• 同步降压转换器
  • 高电流、低占空比应用
• 多相位同步降压转换器
• 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

• VGS (V)
• 20
• VDS (V)
• 30
• Power loss (W)
• 2.1
• Ploss current (A)
• 15
• ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
• 25
• Operating temperature range (C)
• -55 to 150
• Features
• Power supply
• Duty cycle (%)
• Low

CSD87588N的完整型号有：CSD87588N、CSD87588NT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD87588N，工作温度：-55 to 150，封装： (MPA)-5，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD87588N的批量USD价格：.427（1000+）

CSD87588NT，工作温度：-55 to 150，封装： (MPA)-5，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD87588NT的批量USD价格：.512（1000+）

CSD87588NEVM-603 — - 具有电源块 II CSD87588N 的同步降压转换器

CSD87588NEVM-603 将德州仪器 (TI) 的 NextFETTM 电源块 II CSD87588N 与控制器 TPS51219RTE 结合使用，形成一种同步降压转换器。CSD87588N NexFET™ 电源块 II 是一种适合同步降压应用的高度优化设计，其采用小外形 5.0mmx2.5mm 和超低高度（最大值 0.48mm），可提供高电流和高效率。此 EVM 可支持高达约 25W 的应用。

CSD87588N Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

该设计的目的是演示使用 C2000 微控制器的数字电源控制并评估 powerSUITE 数字电源软件工具。该设计包含两块独立的电路板：

• 数字电源降压转换器 Boosterpack (BOOSTXL-BUCKCONV)
• C2000 F280049C Launchpad (LAUNCHXL-F280049C)

用于该设计的软件打包在 C2000 MCU DigitalPower 软件开发套件 (SDK) 中。

PMP20080 — 12V 直流输入电压、混合存储立方体 (HMC)第 2 代电源参考设计

PMP20080 是用于操作 5 条输出轨的强大设计，可应用到混合内存立方体。此参考设计将 5 个同步降压与多个不同的控制器结合使用，可实现一组经过良好调节的输出。此外，PMP20080 还支持随 PMBus 提供的可配置性。PMP20080 参考设计是完全使用标准组件设计的。