CSD95379Q3M NexFET 功率级的设计经过高度优化，适用于高功率、高密度同步降压转换器。 这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。 此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能，此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。 此外，驱动器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持针对 Windows 8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入，静态电流可减少至 130μA，并支持立即响应。 当 SKIP# 保持在三态时，电流可减少至 8µA（恢复切换通常需要 20µs）。 这个组合在小型 3.3mm x 3.3mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 此外，PCB 封装已经过优化，可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

• 12A 电流下的系统效率达 92.5%
• 12A 电流时 1.8W 的超低功率损耗
• 最大额定持续电流为 20A，峰值电流为 45A
• 高频运行（高达 2MHz）
• 高密度 – 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线封装 (SON) 尺寸
• 超低电感封装
• 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
• 低静态 (LQ) 和超低静态 (ULQ) 电流模式
• 与 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
• 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
• 三态 PWM 输入
• 集成型自举二极管
• 击穿保护
• 符合 RoHS 标准 - 无铅引脚镀层
• 无卤素

应用范围

• NVDC 笔记本电脑/超极本 PC
• 平板电脑
• 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压

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• VDS (V)
• 20
• Power loss (W)
• 1.8
• Ploss current (A)
• 12
• Configuration
• PowerStage
• ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
• 20
• Package (mm)
• QFN 3 x 3 proprietary footprint
• Operating temperature range (C)
• -40 to 150

CSD95379Q3M的完整型号有：CSD95379Q3M、CSD95379Q3MT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD95379Q3M，工作温度：-40 to 150，封装： (DNS)-10，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD95379Q3M的批量USD价格：.572（1000+）

CSD95379Q3MT，工作温度：-40 to 150，封装： (DNS)-10，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD95379Q3MT的批量USD价格：.686（1000+）

CSD95379Q3M PSpice Transient Model

该开关电容器集成降压 (SCIB) 转换器经高度优化，适用于高功率、高密度单输出功率转换器。它可在 40V 至 60V 的宽输入电压轨范围内工作，每相可生成 8.0V、5.0V、3.3V 或 1.8V 电压轨及最高 40A 的负载电流。该参考设计在 23mm x 23mm 的 PCB 上集成了 CSD95490Q5MC 和 CSD95379Q3M NexFET MOSFET 功率级、UCC27212 驱动器 IC、电容器和电感器，并可与多相降压控制器 TPS53667 兼容，以实现功率级切换功能。