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CSD97376Q4M的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:MOSFET - 功率级
  • 功能描述:30V 20A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET 功率级
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CSD97376Q4M的产品详情:

CSD97376Q4M NexFET™功率器件是经过高度优化的设计,用于高功率、高密度场合的同步降压转换器。这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能,此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。此外,驱动器 IC 支持 ULQ 模式,此模式支持针对 Windows™8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入,静态电流可减少至 130µA,并支持立即响应。当 SKIP# 保持在三态时,电流可减少至 8µA(恢复切换通常需要 20µs)。该组合在小型 3.5mm × 4.5mm 外形尺寸封装中实现高电流、高效率和高速开关器件。此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

CSD97376Q4M的优势和特性:
  • 在 15A 的电流下具有 90% 的系统效率
  • 最大额定持续电流 20A,峰值电流 45A
  • 高频运行(高达 2MHz)
  • 高密度 3.5mm x 4.5mm SON 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 超低静态 (ULQ) 电流模式
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
  • 支持 FCCM 的二极管仿真模式
  • 输入电压高达 24V
  • 三态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 击穿保护
  • 符合 RoHS 环保标准 – 无铅引脚镀层
  • 无卤素
CSD97376Q4M的参数(英文):
  • VDS (V)
  • 30
  • Power loss (W)
  • 2.2
  • Ploss current (A)
  • 12
  • Configuration
  • PowerStage
  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
  • 20
  • Package (mm)
  • QFN 3.5 x 4.5 proprietary footprint
  • Operating temperature range (C)
  • -40 to 150
CSD97376Q4M具体的完整产品型号参数及价格(美元):

CSD97376Q4M的完整型号有:CSD97376Q4M,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

CSD97376Q4M,工作温度:-40 to 150,封装: (DPC)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网CSD97376Q4M的批量USD价格:.693(1000+)

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CSD97376Q4M的评估套件:

CSD97376Q4M,工作温度:-40 to 150,封装: (DPC)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网CSD97376Q4M的批量USD价格:.693(1000+)

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