CSD97376Q4M_TI 30V 20A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET 功率级

CSD97376Q4M的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - 功率级
功能描述：30V 20A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET 功率级
点击这里打开及下载CSD97376Q4M的技术文档资料
TI代理渠道，提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格

CSD97376Q4M的产品详情：

CSD97376Q4M NexFET™功率器件是经过高度优化的设计，用于高功率、高密度场合的同步降压转换器。这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能，此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。此外，驱动器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持针对 Windows™8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入，静态电流可减少至 130µA，并支持立即响应。当 SKIP# 保持在三态时，电流可减少至 8µA（恢复切换通常需要 20µs）。该组合在小型 3.5mm × 4.5mm 外形尺寸封装中实现高电流、高效率和高速开关器件。此外，PCB 封装已经过优化，可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

CSD97376Q4M的优势和特性：

在 15A 的电流下具有 90% 的系统效率
最大额定持续电流 20A，峰值电流 45A
高频运行（高达 2MHz）
高密度 3.5mm x 4.5mm SON 封装
超低电感封装
系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
超低静态 (ULQ) 电流模式
兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
支持 FCCM 的二极管仿真模式
输入电压高达 24V
三态 PWM 输入
集成型自举二极管
击穿保护
符合 RoHS 环保标准 – 无铅引脚镀层
无卤素

CSD97376Q4M的参数（英文）：

VDS (V)
30
Power loss (W)
2.2
Ploss current (A)
12
Configuration
PowerStage
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
20
Package (mm)
QFN 3.5 x 4.5 proprietary footprint
Operating temperature range (C)
-40 to 150

CSD97376Q4M具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD97376Q4M的完整型号有：CSD97376Q4M，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD97376Q4M，工作温度：-40 to 150，封装： (DPC)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD97376Q4M的批量USD价格：.693（1000+）

CSD97376Q4M的评估套件：

CSD97376Q4M的电路图解：

CSD97376Q4M的评估套件：