CSD97396Q4M NexFET功率级的设计经过高度优化，适用于高功率、高密度同步降压转换器。这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能，此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。此外，驱动器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持针对 Windows8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入，静态电流可减少至 130μA，并支持立即响应。当 SKIP# 保持在三态时，电流可减少至 8µA（恢复切换通常需要 20µs）。这个组合在小型 3.5 x 4.5mm 外形尺寸封装中实现具有高电流、高效和高速开关功能的器件。此外，印刷电路板 (PCB) 封装已经过优化，可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

• 15A 电流下超过 93% 的系统效率
• 最大额定持续电流 30A，峰值 65A
• 高频运行（高达 2MHz）
• 高密度 – 3.5mm × 4.5mm 小外形尺寸无引线封装 (SON) 尺寸
• 超低电感封装
• 系统优化的 PCB 封装
• 超低静态 (ULQ) 电流模式
• 与 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
• 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
• 输入电压高达 24V
• 三态 PWM 输入
• 集成型自举二极管
• 击穿保护
• 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅引脚镀层
• 无卤素

• 超级本/笔记本 DC/DC 转换器
• 多相 Vcore 和 DDR 解决方案
• 在网络互联、电信、和计算系统中的负载点同步降压

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• VDS (V)
• 30
• Power loss (W)
• 2
• Ploss current (A)
• 15
• Configuration
• PowerStage
• ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
• 30
• Package (mm)
• QFN 3.5 x 4.5 proprietary footprint
• Operating temperature range (C)
• -40 to 150

CSD97396Q4M的完整型号有：CSD97396Q4M、CSD97396Q4MT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD97396Q4M，工作温度：-40 to 150，封装： (DPC)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD97396Q4M的批量USD价格：.773（1000+）

CSD97396Q4MT，工作温度：-40 to 150，封装： (DPC)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD97396Q4MT的批量USD价格：.928（1000+）

CSD97396Q4M，工作温度：-40 to 150，封装： (DPC)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD97396Q4M的批量USD价格：.773（1000+）

CSD97396Q4MT，工作温度：-40 to 150，封装： (DPC)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD97396Q4MT的批量USD价格：.928（1000+）