DRV8210 是一款集成电机驱动器，具有四个 N 通道功率 FET、电荷泵稳压器和保护电路。 三倍电荷泵架构可使器件在低至 1.65V 的电压下工作，以适应 1.8V 电源轨和电池电量不足的情况。电荷泵集成了所有电容器，以减小 PCB 上电机驱动器的整体解决方案尺寸，并实现 100% 占空比运行。

DRV8210 支持多种控制接口模式，包括：PWM（IN1/IN2）、相位/使能（PH/EN）、独立半桥和并联半桥。每个接口都支持低功耗睡眠模式，通过关断大部分内部电路实现超低静态电流消耗。

该器件能够提供高达 1.76A 的峰值输出电流。该器件由 1.65V 至 5.5V 的电源电压供电运行。

该驱动器提供强大的内部保护功能，包括电源欠压锁定（UVLO）、输出过流（OCP） 和器件过热（TSD）。

DRV8210 是一系列器件的一部分，这些器件采用引脚对引脚可扩展 R_DS(on) 和电源电压选项，以支持各种负载和电源轨，且几乎不需要设计变更。请参阅器件比较表，了解有关该系列器件的信息。访问 TI.com 查看我们完整的有刷电机驱动器产品系列。

• N 沟道 H 桥电机驱动器
  • MOSFET 导通电阻：HS + LS 1Ω
  • 可驱动一个双向有刷直流电机
  • 两个单向有刷直流电机
  • 一个单线圈或双线圈闭锁继电器
  • 推挽式和双稳态螺线管
  • 其他电阻、电感或 LED 负载
• 1.65V 至 11V 工作电源电压范围
• 高输出电流能力：
  • 全桥：1.76A 峰值
  • 半桥：每个输出 1.76A 峰值
  • 并联半桥：3.52A 峰值
• 多个接口可实现灵活性并减少 GPIO

• 标准脉宽调制 (PWM) 接口（IN1/IN2）

• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
• 超低功耗休眠模式
  • 在 VVM = 5V，VVCC = 3.3V，TJ = 25°C 时 <84.5nA
  • 定时自动睡眠模式以减少 GPIO
• 保护特性
  • 欠压锁定（UVLO）
  • 过流保护（OCP）
  • 热关断（TSD）
• 器件系列。请参阅器件比较表了解详细信息。
  • DRV8210：1.65-11V，1Ω，多接口
  • DRV8210P：睡眠引脚，PWM 接口
  • DRV8212：1.65-11V，280mΩ，多接口
  • DRV8212P：睡眠引脚，PWM 接口
  • DRV8220：4.5-18V，1Ω，多接口

• Number of full bridges
• 1
• Vs (Min) (V)
• 1.65
• Vs ABS (Max) (V)
• 12
• Peak output current (A)
• 1.76
• RDS(ON) (HS + LS) (mOhms)
• 1050
• Sleep current (uA)
• 0.037
• Control mode
• Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM
• Control interface
• Hardware (GPIO)
• Rating
• Catalog
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125

DRV8210的完整型号有：DRV8210DRLR、DRV8210DSGR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

DRV8210DRLR，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-5X3 (DRL)-6，包装数量MPQ：4000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：Call TI，TI官网DRV8210DRLR的批量USD价格：.225（1000+）

DRV8210DSGR，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (DSG)-8，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网DRV8210DSGR的批量USD价格：.248（1000+）

DRV8210EVM — 具有低功耗睡眠模式的 DRV8210 低电压 H 桥电机驱动器评估模块

DRV8210 评估模块 (EVM) 可轻松评估 DRV8210 器件。

DRV8210 电机驱动器集成了 N 沟道 H 桥、电荷泵稳压器以及保护电路。该器件支持 PWM (IN1/IN2)、相位/使能 (PH/EN)、独立半桥和并行半桥控制模式。

EVM 配备了电位器，可用于设置输入控制引脚（PH/IN1、EN/IN2）的占空比。