DRV8300 -Q1 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750 mA 的峰值拉电流和 1.5A 的峰值灌电流。

相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (115V) 绝对最大值，从而提高系统的稳健性。较小的传播延迟和延迟匹配规格可最大限度地降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定功能为低侧和高侧提供欠压保护。

• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 温度等级 1：–40°C ≤ TA ≤ 125°C
• 100V 三相半桥栅极驱动器
  • 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
  • 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V
  • MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
• 集成自举二极管
• 自举栅极驱动架构
  • 750mA 拉电流
  • 1.5A 灌电流
• 支持高达 48V 的汽车系统
• SHx 引脚具有低泄漏电流（小于 55μA）
• 绝对最大 BSTx 电压高达 115V
• 支持 SHx 上低达 -22V 的负电压瞬变
• 内置跨导保护
• 固定插入 215 ns 死区时间
• 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
• 4ns 典型传播延迟匹配
• 紧凑型 TSSOP 封装
• 具有电源块的高效系统设计
• 集成保护特性
  • BST 欠压锁定 (BSTUV)
  • GVDD 欠压 (GVDDUV)

• Rating
• Automotive
• Architecture
• Gate driver
• Control interface
• 6xPWM, 3xPWM
• Gate drive (A)
• 0.75
• Vs (Min) (V)
• 5
• Vs ABS (Max) (V)
• 100
• Features
• Bootstrap Diode
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125

DRV8300-Q1的完整型号有：DRV8300DPWRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

DRV8300DPWRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：TSSOP (PW)-20，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网DRV8300DPWRQ1的批量USD价格：0.69（1000+）

DRV8300DPW-Q1EVM — DRV8300DPW-Q1 三相 BLDC 栅极驱动器评估模块

DRV8300DPW-Q1EVM 是一款基于 DRV8300DPWRQ1 栅极驱动器（适用于 BLDC 电机）的汽车类 30A 三相无刷直流驱动级。?

DRV8300DPWRQ1 包含三个二极管用于自举操作，因此无需使用外部二极管。此 EVM 包含三个电流分流放大器，可用于低侧电流测量以及 PVDD/GVDD 电压和电路板温度反馈。可向此 EVM 提供高达 100V 的电压，板载降压器件可为自举 GVDD 电源提供所需的 12V 电压。包含所有电源的状态 LED 以及故障 LED，用于提供用户反馈。

此套件需要使用 C2000 Launchpad (LAUNCHXL-F280049C) 控制 (...)