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DRV8323的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电机驱动器
  • 技术类目:无刷直流 (BLDC) 电机驱动器 - BLDC 驱动器
  • 功能描述:具有电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器
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DRV8323的产品详情:

DRV832x 系列器件是适用于三相 应用的集成式栅极驱动器。这些器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV832x 使用集成电荷泵为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压,并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV832x 可由单个电源供电,并支持适用于栅极驱动器的 6V 至 60V,以及适用于可选降压稳压器的 4V 至 60V 宽输入电源范围。

6x、3x、1x 和独立输入 PWM 模式可简化与控制器电路的连接。栅极驱动器和器件的配置设置具有高度可配置性,可通过 SPI 或硬件 (H/W) 接口实现。DRV8323 和 DRV8323R 器件集成了三个低侧电流检测放大器,可在驱动级的全部三个相位上进行双向电流检测。DRV8320R 和 DRV8323R 器件集成了一个 600mA 降压稳压器。

提供了低功耗睡眠模式,以通过关断大部分的内部电路实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、栅极驱动器故障和过热等情况,提供内部保护功能。故障状况及故障详情可通过 SPI 器件型号的器件寄存器显示在 nFAULT 引脚上。

DRV8323的优势和特性:
  • 三个半桥栅极驱动器
    • 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET (NMOS)
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调转换率控制
    • 10mA 至 1A 峰值拉电流
    • 20mA 至 2A 峰值灌电流
  • 集成栅极驱动器电源
    • 支持 100% PWM 占空比
    • 高侧电荷泵
    • 低侧线性稳压器
  • 6V 至 60V 工作电压范围
  • 可选集成式降压稳压器
    • LMR16006X SIMPLE SWITCHER?
    • 4V 至 60V 工作电压范围
    • 0.8V 至 60V、600mA 输出能力
  • 三个可选集成式电流检测放大器 (CSA)
    • 可调增益(5、10、20、40 V/V)
    • 双向或单向支持
  • 提供有 SPI 和硬件接口
  • 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 低功耗睡眠模式 (12μA)
  • 3.3V、30mA 线性稳压器
  • 紧凑型 QFN 封装和尺寸
  • 采用电源块的高效系统设计
  • 集成式保护 特性
    • VM 欠压闭锁 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • MOSFET 过流保护 (OCP)
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)
DRV8323的参数(英文):
  • Rating
  • Catalog
  • Architecture
  • Gate driver
  • Control interface
  • 6xPWM, 3xPWM, 1xPWM
  • Gate drive (A)
  • 1
  • Vs (Min) (V)
  • 6
  • Vs ABS (Max) (V)
  • 65
  • Features
  • Current Sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive
  • Operating temperature range (C)
  • -40 to 125
DRV8323具体的完整产品型号参数及价格(美元):

DRV8323的完整型号有:DRV8323HRTAR、DRV8323HRTAT、DRV8323SRTAR、DRV8323SRTAT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

DRV8323HRTAR,工作温度:-40 to 125,封装:WQFN (RTA)-40,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网DRV8323HRTAR的批量USD价格:1.553(1000+)

DRV8323HRTAT,工作温度:-40 to 125,封装:WQFN (RTA)-40,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网DRV8323HRTAT的批量USD价格:1.828(1000+)

DRV8323SRTAR,工作温度:-40 to 125,封装:WQFN (RTA)-40,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网DRV8323SRTAR的批量USD价格:1.622(1000+)

DRV8323SRTAT,工作温度:-40 to 125,封装:WQFN (RTA)-40,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网DRV8323SRTAT的批量USD价格:1.896(1000+)

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DRV8323的评估套件:

BOOSTXL-DRV8323RH — 具有降压、分流放大器的 DRV8323RH 三相智能栅极驱动器(硬件接口)评估模块

BOOSTXL-DRV8323RH 是基于 DRV8323RH 栅极驱动器和 CSD88399Q5DC 双封装 MOSFET 的 15A 三相无刷直流驱动。该模块具有独立的直流总线和相电压传感以及独立低侧电流分流放大器,因而此 EVM 十分适合无传感器 BLDC 算法。该模块通过集成式 0.6A 降压稳压器为 MCU 提供 3.3V 电源。驱动级受到短路、过热、击穿和欠压等全面保护,并可通过不同的硬件配置引脚轻松进行配置。

BOOSTXL-DRV8323RS — 具有降压、分流放大器的 DRV8323RS 三相智能栅极驱动器(SPI 接口)评估模块

BOOSTXL-DRV8323RS 是基于 DRV8323RH 栅极驱动器和 CSD88599Q5DCNexFETTM 电源块的 15A 三相无刷直流驱动级。该模块具有独立的直流总线和相位电压传感,以及独立低侧电流分流放大器,因而此评估模块十分适合无传感器 BLDC 算法。该模块借助集成式 0.6A 降压稳压器为 MCU 提供 3.3V 电源。驱动级受到短路、过热、击穿和欠压等全面保护,并可通过器件 SPI 寄存器轻松配置。

TIDA-01516 — 支持低功耗 Bluetooth 5.0 的单微控制器 18V/600W BLDC 电机控制参考设计

此参考设计提供了 Bluetooth® 5.0 SimpleLink™ 选件,其具有更好的工业噪声抑制能力、更宽的范围以及更低的功耗,适用于各种工业应用,例如由 5 枚锂离子电池供电的电动工具。该功率级参考设计使用单个低功耗蓝牙 (BLE) MCU 进行无线连接和三相无刷直流 (BLDC) 电机梯形控制,在单个板上进行设计,从而降低了 BOM 以及总成本。该设计即使在功率级驱动电机时也能够表现出 –96dBm 的 BLE RX 灵敏度,从而体现射频性能的稳健性。该设计还展示了具有过流和短路保护功能(通过 MOSFET VDS 感应提供)的小尺寸功率级。

TIDA-00774 — 效率大于 98% 的 18V/1kW、160A 峰值电流、高功率密度无刷电机驱动器参考设计

TIDA-00774 是一款 1kW 驱动器,适用于由 5 芯锂离子电池供电(最高电压 21V)的电动工具中的三相无刷直流 (BLDC) 电机。本设计是一款 65mm x 60mm 的紧凑型驱动器,采用基于传感器的梯形控制。本设计采用 TI 的 MOSFET 电源块技术,将两个采用半桥配置的 FET 集成到一个 SON 5x6 封装中,从而实现极高的功率密度。本设计使用两个并联的电源块,可以提供连续(120A 峰值持续 3 秒,160A 峰值持续 1 秒)的 50ARMS 绕组电流。MOSFET (...)
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