DRV8706-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动电流对减少电磁干扰 (EMI) 进行控制，而且可通过 V_DS 和 V_GS 监控器来防止漏源极和栅极短路问题。

宽共模分流放大器具有内联电流感测功能，即使在再循环期间也可持续测量电机电流。如果不需要进行内联感测，放大器可用于低侧或高侧感测配置。

DRV8706-Q1 提供了一系列保护功能，可确保系统稳定运行。此类功能包括适用于电源和电荷泵的欠压和过压监控、适用于外部 MOSFET 的 V_DS 过流和 V_GS 栅极故障监控、离线开路负载和短路诊断，以及内部热警告和热关断保护功能。

• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
  • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
• 提供功能安全
  • 有助于进行功能安全系统设计的文档
• H 桥智能栅极驱动器
  • 4.9V 至 37V（绝对最大值为 40V）工作电压范围
  • 倍增电荷泵可实现 100% PWM
  • 半桥和 H 桥控制模式
• 引脚对引脚栅极驱动器型号
  • DRV8106-Q1：具有直列式放大器的半桥
  • DRV8705-Q1：具有低侧放大器的 H 桥
• 智能栅极驱动架构
  • 可调压摆率控制
  • 0.5 mA 至 62 mA 峰值拉电流输出
  • 0.5 mA 至 62 mA 峰值灌电流输出
  • 集成死区时间握手
• 宽共模电流分流放大器
  • 支持直列式高侧或低侧
  • 可调增益设置（10、20、40、80 V/V）
  • 集成反馈电阻
  • 可调 PWM 消隐方案
• 提供多个接口选项
  • SPI：详细配置和诊断
  • H/W：简化的控制和更少的 MCU 引脚
• 展频时钟可降低 EMI
• 具有可润湿侧翼的紧凑型 VQFN 封装
• 集成保护特性
  • 专用驱动器禁用引脚 (DRVOFF)
  • 电源和稳压器电压监控器
  • MOSFET VDS 过流监控器
  • MOSFET VGS 栅极故障监控器
  • 用于反极性 MOSFET 的电荷泵
  • 离线开路负载和短路诊断
  • 器件热警告和热关断
  • 故障条件中断引脚 (nFAULT)

• Number of full bridges
• 1
• Vs (Min) (V)
• 4.5
• Vs ABS (Max) (V)
• 40
• Sleep current (uA)
• 2.5
• Control mode
• Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM
• Control interface
• Hardware (GPIO), SPI
• Features
• Inline Current Sense Amplifier, Smart Gate Drive
• Rating
• Automotive
• TI functional safety category
• Functional Safety-Capable
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125

DRV8706-Q1的完整型号有：DRV8706HQRHBRQ1、DRV8706SQRHBRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

DRV8706HQRHBRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：VQFN (RHB)-32，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网DRV8706HQRHBRQ1的批量USD价格：1.02（1000+）

DRV8706SQRHBRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：VQFN (RHB)-32，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网DRV8706SQRHBRQ1的批量USD价格：1.063（1000+）

DRV8706H-Q1EVM — 具有宽共模电流感应放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器评估模块

DRV8706H-Q1EVM 用于评估 DRV8706H-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8706H-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过智能栅极驱动架构降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流控制减少电磁干扰 (EMI)，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。
宽共模分流放大器具有内联电流感应功能，可持续测量电机电流。

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DRV8706S-Q1EVM — 具有宽共模电流感应放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM

The DRV8706S-Q1EVM is designed to evaluate the DRV8706S-Q1, which is an integrated, automotive qualified brushed DC motor driver. The DRV8706S-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive (...)