DRV8770 器件具有两个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。在 GVDD 驱动低侧 MOSFET 栅极的同时，集成式自举二极管和外部电容器可为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此栅极驱动架构支持高达 750mA 的栅极驱动拉电流和 1.5A 的栅极驱动灌电流。

栅极驱动引脚的高电压容差提高了系统鲁棒性。SHx 相位引脚能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源的 BSTx 和 GHx 引脚可承受更高的正电压瞬变（绝对最大值为 115V）。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。

• 100V H 桥栅极驱动器
  • 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
  • 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V
  • MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
• 集成自举二极管
• 支持反相和同相 INLx 输入（QFN 封装）
• 自举栅极驱动架构
  • 750mA 拉电流
  • 1.5A 灌电流
• 支持由高达 15 节串联电池供电的应用
• SHx 引脚具有低漏电流（小于 55μA）
• 绝对最大 BSTx 电压高达 115V
• SHx 引脚瞬态负压可达 -22V

• 针对 QFN 封装，可通过 DT 引脚调节死区时间

• 针对 TSSOP 封装，固定插入 200ns 死区时间
• 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
• 4ns 典型传播延迟匹配
• 紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装和尺寸
• 具有电源块的高效系统设计
• 集成保护特性
  • BST 欠压锁定 (BSTUV)
  • GVDD 欠压 (GVDDUV)

• Number of full bridges
• 1
• Vs (Min) (V)
• 5
• Vs ABS (Max) (V)
• 115
• Control mode
• Independent 1/2-Bridge
• Control interface
• Hardware (GPIO)
• Rating
• Catalog
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125

DRV8770的完整型号有：DRV8770RGER，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

DRV8770RGER，工作温度：-40 to 125，封装：VQFN (RGE)-24，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网DRV8770RGER的批量USD价格：.72（1000+）

DRV8770EVM — 适用于 DRV8770 100V 栅极驱动器的评估模块

DRV8770 评估模块 (EVM) 可轻松评估 DRV8770 器件。

DRV8770 器件具有两个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8770 具有保护功能，例如 BST 欠压锁定、GVDD 欠压和热关断。

EVM 具有板载降压转换器和 LDO，可为所有板载元件供电，还能为 H 桥高侧供电。EVM 配备了电位器，可用于设置输入控制引脚（INHA、INLA、INHB、INLB）的占空比。可修改 EVM 以支持外部微控制器，控制 DRV8770 电机驱动器。