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INA129-EP的基本参数
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INA129-EP的产品详情:

The INA129-EP device is a low power, general-purpose instrumentation amplifier offering excellent accuracy. The versatile 3-op amp design and small size make the device ideal for a wide range of applications. Current-feedback input circuitry provides wide bandwidth even at high gain (200 kHz at G = 100).

A single external resistor sets any gain from 1 to 10,000. The INA129-EP provides an industry-standard gain equation; the INA129-EP gain equation is compatible with the AD620.

The INA129-EP device is laser trimmed for very low offset voltage, drift, and high common-mode rejection (113 dB at G ≥ 100). It operates with power supplies as low as ±2.25 V, and quiescent current is only 750 µA–ideal for battery operated systems. Internal input protection can withstand up to ±40 V without damage.

The INA129-EP is available in a 8-Pin SOIC surface-mount package specified for the –55°C to 125°C temperature range.

INA129-EP的优势和特性:
  • Low Offset Voltage
  • Low Input Bias Current
  • High CMR: 95 dB (Typical)
  • Inputs Protected to ±40 V
  • Wide Supply Range: ±2.25 V to ±18 V
  • Low Quiescent Current: 2 mA (Typical)
  • APPLICATIONS
    • Bridge Amplifier
    • Thermocouple Amplifier
    • RTD Sensor Amplifier
    • Medical Instrumentation
    • Data Acquisition
    • Supports Extreme Temperature Applications:
      • Controlled Baseline
      • One Assembly and Test Site
      • One Fabrication Site
      • Available in Military (–55°C to +125°C) Temperature Range(1)
      • Extended Product Life Cycle
      • Extended Product-Change Notification
      • Product Traceability

(1) Custom temperature ranges available All other trademarks are the property of their respective owners

INA129-EP的参数(英文):
  • Number of channels (#)
  • 1
  • Vs (Max) (V)
  • 36
  • Vs (Min) (V)
  • 4.5
  • Input offset (+/-) (Max) (uV)
  • 100
  • Gain (Min) (V/V)
  • 1
  • Gain (Max) (V/V)
  • 10000
  • Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz))
  • 8
  • Features
  • Current Feedback, Overvoltage Protection
  • CMRR (Min) (dB)
  • 113
  • Input offset drift (+/-) (Max) (uV/C)
  • 150
  • Input bias current (+/-) (Max) (nA)
  • 8
  • Iq (Typ) (mA)
  • 0.7
  • Bandwidth at min gain (Typ) (MHz)
  • 1.3
  • Gain error (+/-) (Max) (%)
  • 0.65
  • Operating temperature range (C)
  • -55 to 125
  • Type
  • Resistor
  • Output swing headroom (to negative supply) (Typ) (V)
  • 0.8
  • Output swing headroom (to positive supply) (Typ) (V)
  • -0.9
  • Input common mode headroom (to negative supply) (Typ) (V)
  • 1.7
  • Input common mode headroom (to positive supply) (Typ) (V)
  • -1.4
  • Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp)
  • 0.2
  • Gain non-linearity (+/-) (Max) (%)
  • 0.0055
INA129-EP具体的完整产品型号参数及价格(美元):

INA129-EP的完整型号有:INA129MDREP、V62/10605-01XE,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

INA129MDREP,工作温度:-55 to 125,封装:SOIC (D)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网INA129MDREP的批量USD价格:8.612(1000+)

V62/10605-01XE,工作温度:-55 to 125,封装:SOIC (D)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网V62/10605-01XE的批量USD价格:8.612(1000+)

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