ISO5851 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV_RMS 增强型隔离栅极驱动器，具有 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出侧支持的电源电压范围为 15V 至 30V。两路互补 CMOS 输入控制栅极驱动器输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。

内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过载状态。当检测到 DESAT 时，栅极驱动器输出会被拉低为 V_EE2 电势，从而将 IGBT 立即关断。

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。FLT 的输出状态将被锁存，可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT，输出电压会被硬钳位为 V_EE2。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。FLT 的输出状态将被锁存，可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT，输出电压会被硬钳位为 V_EE2。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足，RDY 输出会变为低电平；否则，该输出为高电平。

ISO5851 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装。此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。

• 在 VCM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/μs
• 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
• 短暂传播延迟：76ns（典型值），110ns（最大值）
• 2A 有源米勒钳位
• 输出短路钳位
• 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警并通过 RST 复位
• 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
• 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
• 3V 至 5.5V 输入电源电压
• 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
• 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
• 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
• 工作环境温度范围：-40°C 至 +125°C
• 可承受的浪涌隔离电压达 12800VPK”
• 安全相关认证：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增强型隔离
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS 隔离
  • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
  • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
  • GB4943.1-2011 CQC 认证

• Number of channels (#)
• 1
• Isolation rating (Vrms)
• 5700
• Power switch
• IGBT
• Peak output current (A)
• 5
• DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
• 8000
• DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
• 2121
• Output VCC/VDD (Max) (V)
• 30
• Output VCC/VDD (Min) (V)
• 15
• Input VCC (Min) (V)
• 3
• Input VCC (Max) (V)
• 5.5
• Prop delay (ns)
• 76
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 12

ISO5851的完整型号有：ISO5851DW、ISO5851DWR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

ISO5851DW，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO5851DW的批量USD价格：2.731（1000+）

ISO5851DWR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO5851DWR的批量USD价格：2.276（1000+）

ISO5851EVM — ISO5851 评估模块 (EVM)

该评估模块采用 ISO5851 增强型隔离式栅极驱动器器件，可让设计人员通过预填充的 1-nF 负载或采用标准 TO-247 或 TO-220 封装的用户安装型 IGBT 来评估器件的交流和直流性能。

ISO5851 IBIS Model

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ISO5851EVM Design Files

TIDA-00446 参考设计包含六个增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器以及专用栅极驱动器电源。此紧凑型参考设计旨在控制诸如交流驱动器、不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器等三相逆变器中的 IGBT。此设计使用具有 DESAT 功能和内置米勒钳位保护的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器，支持将单极电源电压用于栅极驱动器。每个栅极驱动器的基于开环推挽式拓扑的电源使 PCB 布线具有灵活性。在 TIDA-00446 中使用的推挽式变压器驱动器以 420 khz 的频率运行，这有助于减小隔离变压器的尺寸，从而实现紧凑的电源解决方案。栅极驱动器电源可予以禁用，从而促进安全扭矩切断 (STO) 功能。