ISO5852S-Q1 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV_RMS 增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出（OUTH 和 OUTL）以及 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 2.25V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。中的文本由“3V 至 5.5V 单电源”更改为“2.25V 至 5.5V 单电源”中的文本由“IGBT 处于过载状态”更改为“IGBT 处于过流状态”

内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过流状态。检测到 DESAT 时，静音逻辑会立即阻断隔离器输出，并启动软关断过程以禁用 OUTH 引脚并将 OUTL 引脚拉至低电平持续 2μs。当 OUTL 引脚达到 2V 时（相对于最大负电源电势 V_EE2），栅极驱动器会被“硬”拉至 V_EE2 电势，从而立即将 IGBT 关断。已将中的文本由“并降低 OUTL 的电压持续 2μs 以上”更改为“并将 OUTL 拉至低电平持续 2μs”

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。静音逻辑在软关断期间激活。FLT 的输出状态将被锁存，并只能在 RDY 引脚变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。已更改的第 3 段

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT，输出电压会被硬钳位为 V_EE2。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止 IGBT 在高电压瞬态状态下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足，RDY 输出会变为低电平，否则该输出为高电平。

ISO5852S-Q1 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装. 此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。

• 适用于汽车电子 应用
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
  • 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
  • 器件人体模型 (HBM) 分类等级 3A
  • 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6
• VCM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/μs
• 分离输出，可提供 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
• 短暂传播延迟：76ns（典型值），110ns（最大值）
• 2A 有源米勒钳位
• 输出短路钳位
• 短路期间的软关断 (STO)
• 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警，并通过 RST 复位
• 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
• 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
• 2.25V 至 5.5V 输入电源电压
• 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
• 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
• 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
• 可承受的浪涌隔离电压达 12800VPK ”
• 安全相关认证：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增强型隔离
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS 隔离
  • CSA 组件验收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
  • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
  • GB4943.1-2011 CQC 认证
  • 已通过 UL、VDE、CQC、TUV 认证并规划进行 CSA 认证

应用

• 隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器：
  • 混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块
  • 工业电机控制驱动
  • 工业电源
  • 太阳能逆变器
  • 感应加热

All trademarks are the property of their respective owners. All trademarks are the property of their respective owners.

• Number of channels (#)
• 1
• Isolation rating (Vrms)
• 5700
• Power switch
• IGBT, SiCFET
• Peak output current (A)
• 5
• DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
• 8000
• DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
• 2121
• Output VCC/VDD (Max) (V)
• 30
• Output VCC/VDD (Min) (V)
• 15
• Input VCC (Min) (V)
• 2.25
• Input VCC (Max) (V)
• 5.5
• Prop delay (ns)
• 76
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 12

ISO5852S-Q1的完整型号有：ISO5852SQDWQ1、ISO5852SQDWRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

ISO5852SQDWQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO5852SQDWQ1的批量USD价格：3.227（1000+）

ISO5852SQDWRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO5852SQDWRQ1的批量USD价格：2.749（1000+）

ISO5852SEVM — ISO5852SEVM - ISO5852S 评估模块

该评估模块采用 ISO5852S 增强型隔离式栅极驱动器器件，可让设计人员通过预填充的 1-nF 负载或采用标准 TO-247 或 TO-220 封装的用户安装型 IGBT 来评估器件的交流和直流性能。

ISO5852S Unencrypted PSPICE Transient Model

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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TIDA-020014 — 具有 3 种 IGBT/SiC 偏置电源解决方案的 HEV/EV 牵引逆变器功率级参考设计

此参考设计提供了一种具有三种 12V 汽车电池输入、4.2W 偏置电源解决方案的牵引逆变器单相功率级，适用于混合动力电动汽车和电动汽车 (HEV/EV) 系统。所有偏置电源解决方案都可接受 12V 汽车电池提供的 4.5V 至 42V 的宽直流输入范围，并可产生 +15V、–8V 或 +20V、–4V 的可配置电压以及高达 180mA 的输出电流。该功率级包括具有 5.7kVRMS 增强型隔离的隔离式栅极驱动器，并采用了 100mm × 62mm 的外形设计（适合安装在 SiC/IGBT (...)

TIDA-00794 — 适用于 HEV/EV 牵引逆变器的 IGBT 模块的过热保护参考设计

TIDA-00794 参考设计是适用于 HEV/EV 牵引逆变器系统中 IGBT 热保护的温度传感解决方案。它通过 IGBT 模块内集成的 NTC 热敏电阻监测 IGBT 温度。一旦 NTC 热敏电阻温度升至编程的阈值以上，它就对 IGBT 栅极驱动器进行热关闭。该设计包含 IGBT 隔离栅极驱动器、高电压隔离、NTC 信号调节、负载电阻器和连接到 MSP430 的 I2C 接口，使设计系统可以在高额定功率下独立运行。