ISO5852S 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV_RMS 增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出（OUTH 和 OUTL）以及 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 2.25V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出侧支持的电源电压范围为 15V 至 30V。两路互补 CMOS 输入控制栅极驱动器输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。

内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过流状态。检测到 DESAT 时，静音逻辑会立即阻断隔离器输出，并启动软关断过程以禁用 OUTH 引脚并将 OUTL 引脚拉至低电平持续 2µs。当 OUTL 引脚达到 2V 时（相对于最大负电源电势 V_EE2），栅极驱动器会被“硬”拉至 V_EE2 电势，从而立即将 IGBT 关断。

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。静音逻辑在软关断期间激活。FLT 的输出状态将被锁存，并只能在 RDY 引脚变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT，输出电压会被硬钳位为 V_EE2。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止 IGBT 在高电压瞬态状态下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足，RDY 输出会变为低电平，否则该输出为高电平。

ISO5852S 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装. 此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。

• VCM = 1500V 时的最低共模瞬态抗扰度 (CMTI) 为 100kV/μs
• 分离输出，可提供 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
• 短暂传播延迟：76ns（典型值），110ns（最大值）
• 2A 有源米勒钳位
• 输出短路钳位
• 短路期间的软关断 (STO)
• 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警并通过 RST 复位
• 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
• 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
• 2.25V 至 5.5V 输入电源电压
• 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
• 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
• 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
• 工作环境温度范围：–40°C 至 +125°C
• 可承受的浪涌隔离电压达 12800VPK ”
• 安全相关认证：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增强型隔离
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS 隔离
  • CSA 组件验收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
  • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
  • GB4943.1-2011 CQC 认证

• Number of channels (#)
• 1
• Isolation rating (Vrms)
• 5700
• Power switch
• IGBT, SiCFET
• Peak output current (A)
• 5
• DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
• 8000
• DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
• 2121
• Output VCC/VDD (Max) (V)
• 30
• Output VCC/VDD (Min) (V)
• 15
• Input VCC (Min) (V)
• 2.25
• Input VCC (Max) (V)
• 5.5
• Prop delay (ns)
• 76
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 12

ISO5852S的完整型号有：ISO5852SDW、ISO5852SDWR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

ISO5852SDW，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO5852SDW的批量USD价格：2.868（1000+）

ISO5852SDWR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO5852SDWR的批量USD价格：2.39（1000+）

ISO5852SDWEVM-017 — 适用于 SiC 和 IGBT 电源模块的驾驶和保护评估板

The ISO5852SDWEVM-017 is a compact, dual chanel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for half-bridge Sic MOSFET and IGBT Power Modules in standard 62-mm package. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation driver IC ISO5852SDW in (...)

ISO5852SEVM — ISO5852SEVM - ISO5852S 评估模块

该评估模块采用 ISO5852S 增强型隔离式栅极驱动器器件，可让设计人员通过预填充的 1-nF 负载或采用标准 TO-247 或 TO-220 封装的用户安装型 IGBT 来评估器件的交流和直流性能。

ISO5852S IBIS Model

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ISO5852SDWEVM-017 Design Files

这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流 T 型逆变器级。50KHz 的较高开关频率减小了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗的 SiC MOSFET，可确保实现高达 1000V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗，从而达到 99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制，可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。

TIDA-01599 — 适用于工业驱动器且经过 TüV SüD 评估的安全转矩关闭 (STO) 参考设计 (IEC 61800-5-2)

此参考设计概述了具有 CMOS 输入隔离式 IGBT 栅极驱动器的三相逆变器中使用的安全转矩关闭 (STO) 子系统。该 STO 子系统采用双通道架构 (1oo2)，硬件容错能力为 1 (HFT=1)。它是按照失电跳闸概念实现的。当双路 STO 输入（STO_1 和 STO_2）变为低电平有效时，将通过负载开关切断六个隔离式 IGBT 栅极驱动器的初级侧和次级侧相应电源，从而停止控制电机并为其供电。此 STO 参考设计 (1oo2) 经过 TüV SüD 评估，通常符合 SIL 3 和 PL e/Cat 3标准。

TIDA-00195 — 用于三相逆变器系统的隔离式 IGBT 栅极驱动器评估平台参考设计

TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S（适用于各种应用中的电机控制）。此设计可对三相逆变器（其中整合了额定电压为 1200V、额定电流范围为 50A-200A 的 IGBT 模块）中的 ISO5852S 进行性能评估。

评估的一些重要功能和性能包括使用 DESAT 检测的短路保护、软关断、在不同逆变器 dv/dt 下的有源米勒钳位的有效性以及 IGBT 栅极驱动器的源自可调速电气电力驱动系统 (IEC61800-3) 的系统级 ESD/EFT 性能。Piccolo Launch Pad (...)

TIDA-00917 — 适用于具备短路保护功能和电流缓冲器的并联 IGBT 的栅极驱动器参考设计

对于具有较高输出功率等级的电源转换设备而言，并联绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 很有必要，因为在这类应用中，单个 IGBT 无法提供所需的负载电流。该参考设计采用一个增强型隔离式 IGBT 栅极控制模块，来驱动采用半桥配置的并联 IGBT。在栅极驱动器（驱动强度不足）和系统层面，并联 IGBT 都无法保持相等的电流分布以及更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器，这款器件具有多种集成特性，如去饱和检测和软关断（以便在故障情况下保护 IGBT）。通过外部 BJT 电流增压级，可在不牺牲软关断特性的情况下提高栅极驱动电流 (15A)。此外，该设计展示了在 IGBT (...)