ISO782 1 是一款高性能双通道数字隔离器，隔离电压高达 8000 V_PK。该器件已通过符合 VDE、CSA、CQC 和 TUV 标准的增强型隔离认证。该隔离器以低功耗提供高电磁抗扰度和低辐射，同时隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O。每个隔离通道都有逻辑输入和输出缓冲器，由二氧化硅 (SiO₂) 绝缘栅隔离。 ISO7821 具有一个正向通道和一个反向通道。。如果输入功率或信号丢失，ISO782 1 器件默认输出‘高电平’，ISO782 1F 器件默认输出‘低电平’。与隔离式电源一起使用时，这款器件可防止数据总线或者其他电路上的噪音电流进入本地接地和干扰或损坏敏感电路。凭借创新的芯片设计和布线技术，ISO782 1 的电磁兼容性得到了显著增强，从而可确保提供系统级 ESD、EFT 和浪涌保护并符合辐射标准。ISO782 1 可采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装 。 DWW 封装选项带有使能引脚，可用于将各自输出置于高阻抗，适用于多主驱动应用并降低功耗。

空白

• 信令速率：高达 100Mbps
• 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
• 2.25V 至 5.5V 电平转换
• 宽温度范围：-55°C 至 125°C
• 低功耗，每通道电流典型值为 1.8mA（1Mbps 时）
• 低传播延迟：典型值为 11ns （5V 电源）
• 卓越的 CMTI（下限值）：±100kV/μs
• 优异的电磁兼容性 (EMC)
• 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
• 低辐射
• 隔离栅寿命：> 25 年
• SOIC-16 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装选项
• 安全和监管批准：
  • 8000VPK 增强型隔离，符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
  • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
  • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
  • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
  • 已完成所有 DW 封装认证；已完成符合 UL、VDE 标准的 DWW 封装认证，并已针对 VDE、CSA 和 CQC 进行规划

• Integrated isolated power
• No
• Number of channels (#)
• 2
• Forward/reverse channels
• 1 forward / 1 reverse
• Isolation rating (Vrms)
• 5700
• Data rate (Max) (Mbps)
• 100
• Rating
• Catalog
• Surge voltage capability (Vpk)
• 12800
• Current consumption per channel (DC) (Typ) (mA)
• 1.2
• Current consumption per channel (1 Mbps) (Typ) (mA)
• 1.8
• Operating temperature range (C)
• -55 to 125
• Default output
• High, Low
• Supply voltage (Max) (V)
• 5.5
• Supply voltage (Min) (V)
• 2.25
• Propagation delay (Typ) (ns)
• 10.7

ISO7821的完整型号有：ISO7821DW、ISO7821DWR、ISO7821DWW、ISO7821DWWR、ISO7821FDW、ISO7821FDWR、ISO7821FDWW、ISO7821FDWWR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

ISO7821DW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7821DW的批量USD价格：2.807（1000+）

ISO7821DWR，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7821DWR的批量USD价格：2.391（1000+）

ISO7821DWW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DWW)-16，包装数量MPQ：45个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7821DWW的批量USD价格：3.742（1000+）

ISO7821DWWR，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DWW)-16，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7821DWWR的批量USD价格：3.326（1000+）

ISO7821FDW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7821FDW的批量USD价格：2.807（1000+）

ISO7821FDWR，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7821FDWR的批量USD价格：2.391（1000+）

ISO7821FDWW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DWW)-16，包装数量MPQ：45个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7821FDWW的批量USD价格：3.742（1000+）

ISO7821FDWWR，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DWW)-16，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7821FDWWR的批量USD价格：3.326（1000+）

DIGI-ISO-EVM — Universal digital isolator evaluation module

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块，用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件：8 引脚 NB SOIC (D)、8 引脚 WB SOIC (DWV)、16 引脚 WB SOIC (DW)、16 引脚 Ultra WB SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项，支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

ISO7842-EVM — 高抗干扰能力，5.7kVRMS 增强型四通道 2/2 数字隔离器评估模块

ISO7842 可提供符合 UL 标准的长达 1 分钟且高达 5700 VRMS 的电流隔离，以及符合 VDE 标准的 8000 VPK 的隔离。此器件具有四个隔离通道，并包含由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅隔离的逻辑输入和输出缓冲器。与隔离式电源一起使用时，此器件可防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地端并干扰或损坏敏感电路。

ISO7842-EVM 可帮助设计人员评估器件性能，支持快速开发并分析隔离式系统。该 EVM 支持评估任何位于 16 引脚 SOIC 封装中的 TI 四通道数字隔离器。

ISO7821 IBIS Model (Rev. A)

PMP20289 经搭建和测试用于验证高频（>400kHz 标称开关频率）LLC 系列谐振转换器 (LLC-SRC) 的性能，此转换器由德州仪器 (TI) 的高压 GaN FET 在标称（390V 至 12V）电压转换中实现。数字控制器 UCD3138A 与 UCD7138 SR 控制器配套使用，以优化 LLC-SRC 效率。TI 的高压直接驱动 GaN FET LMG3410 可用于实现快速开关，并且能够最大限度地缩短半桥开关之间的死区时间。测试结果表明，在 24A 负载下可实现 96.8% 的峰值效率，在 42A 全负载下可实现 96.3% 的效率（390V 至 12V (...)

TIDA-00785 — 隔离式 GaN 驱动器参考设计

该参考设计包含一个增强型双通道数字隔离器、一个 GaN 栅极驱动器和多个隔离式电源。该紧凑型参考设计旨在控制电源、直流到直流转换器、同步整流、太阳能逆变器和电机控制中的 GaN。适用于栅极驱动器且基于开环推挽拓扑的电源可在 PCB 布线中提供灵活性。TIDA-00785 中使用的推挽式变压器驱动器以 300 kHz 的频率运行，这有助于减小隔离变压器的尺寸，从而实现紧凑的电源解决方案。