ISO7842x 器件是一款高性能四通道数字隔离器，隔离电压为 8000V_PK。该器件已通过符合 VDE、CSA、CQC 和 TUV 标准的增强型隔离认证。在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 时，该隔离器可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO₂) 绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器。

该器件配有使能引脚，可用于将多个主驱动应用中的相应输出置于 高阻抗状态， 也可用于降低功耗。ISO7842 器件具有 2 个正向通道和 2 个反向通道。如果出现输入功率或信号丢失，ISO7842 器件默认输出高电平，ISO7842F 器件默认输出低电平。有关更多详细信息，请参阅 Device Functional Modes器件功能模式部分。

与隔离式电源结合使用时，该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地，进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新的芯片设计和布线技术，ISO7842 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可确保提供系统级 ESD、EFT 和浪涌保护并符合辐射标准。

ISO7842 器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装。

• 信号传输速率：高达 100Mbps
• 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
• 2.25V 至 5.5V 电平转换
• 宽温度范围：–55°C 至 +125°C
• 低功耗：电流典型值为 1.7mA/通道（1Mbps 时）
• 低传播延迟：典型值为 11ns （5V 电源供电时）
• 行业领先的 CMTI（最小值）：±100 kV/μs
• 优异的电磁兼容性 (EMC)
• 系统级静电放电 (ESD)、瞬态放电 (EFT) 以及抗浪涌保护
• 低辐射
• 隔离层寿命：40 年以上
• 宽体 SOIC-16 封装和超宽体 SOIC-16 封装选项
• 安全及管理批准：中的“安全及管理批准”列表中的“安全及管理批准”列表
  • 8000 VPK 增强型隔离，符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
  • CSA 组件验收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
  • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证
  • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
  • 完成了所有 DW 封装认证；完成了符合 UL、VDE、TUV 标准的 DWW 封装认证并且已针对 CSA 和 CQC 进行了规划

• Integrated isolated power
• No
• Number of channels (#)
• 4
• Forward/reverse channels
• 2 forward / 2 reverse
• Isolation rating (Vrms)
• 5700
• Data rate (Max) (Mbps)
• 100
• Rating
• Catalog
• Surge voltage capability (Vpk)
• 12800
• Current consumption per channel (DC) (Typ) (mA)
• 1
• Current consumption per channel (1 Mbps) (Typ) (mA)
• 1.65
• Operating temperature range (C)
• -55 to 125
• Default output
• High, Low
• Supply voltage (Max) (V)
• 5.5
• Supply voltage (Min) (V)
• 2.25
• Propagation delay (Typ) (ns)
• 10.7

ISO7842的完整型号有：ISO7842DW、ISO7842DWR、ISO7842DWW、ISO7842DWWR、ISO7842FDW、ISO7842FDWR、ISO7842FDWW、ISO7842FDWWR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

ISO7842DW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7842DW的批量USD价格：4.662（1000+）

ISO7842DWR，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7842DWR的批量USD价格：3.971（1000+）

ISO7842DWW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DWW)-16，包装数量MPQ：45个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7842DWW的批量USD价格：6.215（1000+）

ISO7842DWWR，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DWW)-16，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7842DWWR的批量USD价格：5.525（1000+）

ISO7842FDW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7842FDW的批量USD价格：4.662（1000+）

ISO7842FDWR，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7842FDWR的批量USD价格：3.971（1000+）

ISO7842FDWW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DWW)-16，包装数量MPQ：45个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7842FDWW的批量USD价格：6.215（1000+）

ISO7842FDWWR，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DWW)-16，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7842FDWWR的批量USD价格：5.525（1000+）

DIGI-ISO-EVM — Universal digital isolator evaluation module

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块，用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件：8 引脚 NB SOIC (D)、8 引脚 WB SOIC (DWV)、16 引脚 WB SOIC (DW)、16 引脚 Ultra WB SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项，支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

ISO7842-EVM — 高抗干扰能力，5.7kVRMS 增强型四通道 2/2 数字隔离器评估模块

ISO7842 可提供符合 UL 标准的长达 1 分钟且高达 5700 VRMS 的电流隔离，以及符合 VDE 标准的 8000 VPK 的隔离。此器件具有四个隔离通道，并包含由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅隔离的逻辑输入和输出缓冲器。与隔离式电源一起使用时，此器件可防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地端并干扰或损坏敏感电路。

ISO7842-EVM 可帮助设计人员评估器件性能，支持快速开发并分析隔离式系统。该 EVM 支持评估任何位于 16 引脚 SOIC 封装中的 TI 四通道数字隔离器。

ISO7842 IBIS Model (Rev. A)

此参考设计展示了一种经过成本优化、基于可扩展 ADC 且具有增强型隔离功能的交流/直流二进制输入模块 (BIM) 架构。10 位或 12 位 SAR ADC 的 16 个通道用于感应多个二进制输入。运算放大器除了使每通道成本保持较低之外，还为每个输入提供了出色的信号调节。数字隔离器（基础型或增强型）用于隔离主机 MCU 或处理器。支持对温度、湿度和磁场的测量以用于诊断。具有可配置输出的增强型隔离直流/直流电源可为二进制模块提供所需的电源。

TIDA-01037 — 最大程度提升 SNR 和采样速率的 20 位、1MSPS 隔离器优化型数据采集参考设计

TIDA-01037 是一款 20 位、1MSPS 隔离式模拟输入数据采集参考设计，使用两种不同隔离器器件，以最大限度地提高信号链 SNR 和采样率性能。对于需要低抖动的信号（例如 ADC 采样时钟），可使用 TI 的 ISO73xx 系列低抖动器件；而 TI 的高速 ISO78xx 系列器件则用于最大限度地提高数据采样率。通过结合这两种隔离器解决方案，可跨隔离边界最大限度地降低采样时钟抖动，使高频性能得到显著提高，并且可利用最大限度提高隔离器信号传输速率的方式提高数据吞吐量。通过使用 TI 的高级 ADC multiSPITM (...)

TIDA-01590 — 适用于太阳能汇流箱的 1200V 隔离式 I2C 高侧电流检测参考设计

此参考设计是一种隔离式高侧电流感应设计，适用于接地或不接地系统中的智能汇流箱。该电流检测拓扑可实现多通道且误差低于 ±1% 的隔离式电流感应，适用于高达 1200VDC 的高压系统，由直流/直流变压器进行限制。

TIDA-01035 — 为最大程度提升 SNR 和采样速率而优化抖动的 20 位隔离式数据采集参考设计

TIDA-01035 是一种 20 位、1 MSPS 隔离式模拟输入数据采集参考设计，演示了如何解决和优化数字隔离式数据采集系统通常所具有的性能挑战。

• 通过有效地减轻 ADC 采样时钟跨隔离边界的抖动，显著改善高频交流信号链性能（SNR 和 THD）
• 通过消除数字隔离器引入的传播延迟或使其降至最低，使采样率达到最大
• 提供选项以评估使用和不使用抖动迁移技术和跳线时的性能
• 包括详细的定时分析，详细说明隔离器的附加抖动对数据吞吐量的影响

TIDA-00732 — 实现最高 SNR 和采样速率的 18 位、2MSPS 隔离式数据采集参考设计

该“可实现最大 SNR 和采样率的 18 位 2Msps 隔离式数据采集参考设计”演示了如何应对隔离式数据采集系统设计中的典型性能限制挑战：

• 通过将数字隔离器引入的传播延迟降至最低，使采样率达到最大
• 通过有效地减轻数字隔离器引入的 ADC 采样时钟抖动，使高频交流信号链性能 (SNR) 达到最大

TIDA-00448 — 具有增强型数字隔离器的灵活型高电流 IGBT 栅极驱动器参考设计

TIDA-00448 参考设计是带有双极性闸极电压的隔离式 IGBT 闸极驱动程序，旨在用于驱动所需高峰值闸极电流高达 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 电源块就在此范围内，具有相同的封装，能让单个设计用于具有不同额定功率的多驱动器平台。数字隔离器用于实现瞬态浪涌额定值为 8kV 且共模瞬变抗扰度 (CMTI) 为 50kV 的增强型隔离。该设计包含了使用快速瞬态响应比较器的 DESAT 保护。DESAT 检测阈值和软关闭时间都是可配置的。该设计可连接来自 3.3 V 和 5 V MCU 的 PWM，并同时连接故障、重置和 UVLO 反馈。

TIDA-00267 — 极性校正隔离 CAN 参考设计

一种通过添加反并行通信通道和适当控制信号以启用控制器区域网 (CAN) 总线极性校正，从而有效解决因安装不当所导致的问题的即时可用设计。

TIDA-00330 — 增强隔离型 M-LVDS 收发器参考设计

此参考设计演示的是采用 ISO7842 和 SN65MLVD203 的增强型隔离式全双工 M-LVDS 收发器节点的性能。单一增强型数字隔离器代替了两个基本数字隔离器，降低了成本并节省了 PCB 上的空间。