LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器，设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型 WSON(8) 封装。

• 符合汽车类 应用标准
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
  • 器件温度 1 级
  • 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 1C
  • 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A
• 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流/1.0A 拉电流）
• 独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入
• 自举电源电压高达 108V（直流）
• 短暂传播时间（典型值为 30ns）
• 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
• 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗
• 耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装

应用

• 推挽转换器
• 半桥和全桥电源转换器
• 固态电机驱动器
• 双开关正向电源转换器

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• Bus voltage (Max) (V)
• 90
• Power switch
• MOSFET
• Input VCC (Min) (V)
• 8
• Input VCC (Max) (V)
• 14
• Peak output current (A)
• 1
• Rise time (ns)
• 15
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 8
• Rating
• Automotive
• Number of channels (#)
• 2
• Fall time (ns)
• 15
• Prop delay (ns)
• 30
• Iq (uA)
• 10
• Input threshold
• TTL
• Channel input logic
• TTL
• Negative voltage handling at HS pin (V)
• -1
• Features
• —
• Driver configuration
• Dual inputs

LM5109B-Q1的完整型号有：LM5109BQNGTRQ1、LM5109BQNGTTQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LM5109BQNGTRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (NGT)-8，包装数量MPQ：4500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5109BQNGTRQ1的批量USD价格：.45（1000+）

LM5109BQNGTTQ1，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (NGT)-8，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5109BQNGTTQ1的批量USD价格：.54（1000+）

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