The LM5110 Dual Gate Driver replaces industry standard gate drivers with improved peak output current and efficiency. Each "compound" output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 5A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Separate input and output ground pins provide Negative Drive Capability allowing the user to drive MOSFET gates with positive and negative VGS voltages. The gate driver control inputs are referenced to a dedicated input ground (IN_REF). The gate driver outputs swing from V_CC to the output ground V_EE which can be negative with respect to IN_REF. Undervoltage lockout protection and a shutdown input pin are also provided. The drivers can be operated in parallel with inputs and outputs connected to double the drive current capability. This device is available in the SOIC-8 and the thermally-enhanced WSON-10 packages.

• Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
• 5A sink/3A Source Current Capability
• Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
• Independent Inputs (TTL Compatible)
• Fast Propagation Times (25-ns Typical)
• Fast Rise and Fall Times (14-ns/12-ns Rise/Fall With 2-nF Load)
• Dedicated Input Ground Pin (IN_REF) for Split Supply or Single Supply Operation
• Outputs Swing from VCC to VEE Which Can Be Negative Relative to Input Ground
• Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
• Shutdown Input Provides Low Power Mode
• Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
• Pin-Out Compatible With Industry Standard Gate Drivers
• Packages:
  • SOIC-8
  • WSON-10 (4 mm × 4 mm)

• Number of channels (#)
• 2
• Power switch
• MOSFET
• Peak output current (A)
• 5
• Input VCC (Min) (V)
• 3.5
• Input VCC (Max) (V)
• 14
• Features
• Negative Output Voltage Capability
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Rise time (ns)
• 14
• Fall time (ns)
• 12
• Prop delay (ns)
• 25
• Input threshold
• TTL
• Channel input logic
• Inverting, Non-Inverting, Combination
• Input negative voltage (V)
• 0
• Rating
• Catalog
• Undervoltage lockout (Typ)
• 224
• Driver configuration
• Dual, Independent

LM5110的完整型号有：LM5110-1M/NOPB、LM5110-1MX/NOPB、LM5110-1SD/NOPB、LM5110-1SDX/NOPB、LM5110-2M/NOPB、LM5110-2MX/NOPB、LM5110-2SD/NOPB、LM5110-3M/NOPB、LM5110-3MX/NOPB、LM5110-3SD/NOPB、LM5110-3SDX/NOPB、LM5110-1SD、LM5110-3SD，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LM5110-1M/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：95个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5110-1M/NOPB的批量USD价格：.984（1000+）

LM5110-1MX/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5110-1MX/NOPB的批量USD价格：.82（1000+）

LM5110-1SD/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (DPR)-10，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LM5110-1SD/NOPB的批量USD价格：.984（1000+）

LM5110-1SDX/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (DPR)-10，包装数量MPQ：4500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5110-1SDX/NOPB的批量USD价格：.82（1000+）

LM5110-2M/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：95个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5110-2M/NOPB的批量USD价格：.984（1000+）

LM5110-2MX/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5110-2MX/NOPB的批量USD价格：.82（1000+）

LM5110-2SD/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (DPR)-10，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5110-2SD/NOPB的批量USD价格：.82（1000+）

LM5110-3M/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：95个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5110-3M/NOPB的批量USD价格：.984（1000+）

LM5110-3MX/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5110-3MX/NOPB的批量USD价格：.82（1000+）

LM5110-3SD/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (DPR)-10，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5110-3SD/NOPB的批量USD价格：.984（1000+）

LM5110-3SDX/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (DPR)-10，包装数量MPQ：4500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5110-3SDX/NOPB的批量USD价格：.82（1000+）

LM5110-1SD，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (DPR)-10，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNPB，TI官网LM5110-1SD的批量USD价格：1.271（1000+）

LM5110-3SD，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (DPR)-10，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNPB，TI官网LM5110-3SD的批量USD价格：1.271（1000+）

UCC27423-4-5-Q1EVM — 具有使能端的 UCC2742xQ1 双路 4A 高速低侧 MOSFET 驱动器评估模块 (EVM)

UCC2742xQ1 EVM 是一款高速双 MOSFET 评估模块，其提供了用于快速轻松地启动 UCC2742xQ1 驱动器的测试平台。由 4V 到 15V 外部单电源供电，具有一整套测试点和跳线。所有器件均具有独立的输入和输出线路，且所有器件均共享一个共用接地。提供使能 (ENBL) 功能旨在更好地控制驱动器应用的操作，器件的驱动器信号可通过同一使能引脚启用或禁用。

LM5110-1M PSpice Transient Model (Rev. A)

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