The LM5112 device MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny 6-pin WSON package (SOT-23 equivalent footprint) or an 8-pin exposed-pad MSOP package with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7 A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turnon voltage. The LM5112 device provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

• LM5112-Q1 is Qualified for Automotive Applications
• AEC-Q100 Grade 1 Qualified
• Manufactured on an Automotive Grade Flow
• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
• 7-A Sink and 3-A Source Current
• Fast Propagation Times: 25 ns (Typical)
• Fast Rise and Fall Times: 14 ns or 12 ns Rise or Fall With 2-nF Load
• Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration With a Single Device
• Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
• Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split Supply or Single Supply Operation
• Power Enhanced 6-Pin WSON Package (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced MSOP-PowerPAD Package
• Output Swings From VCC to VEE Which Are Negative Relative to Input Ground

• Number of channels (#)
• 1
• Power switch
• MOSFET
• Peak output current (A)
• 7
• Input VCC (Min) (V)
• 3.5
• Input VCC (Max) (V)
• 14
• Features
• Negative Output Voltage Capability
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Rise time (ns)
• 14
• Fall time (ns)
• 12
• Prop delay (ns)
• 25
• Input threshold
• TTL
• Channel input logic
• Inverting, Non-Inverting
• Input negative voltage (V)
• 0
• Rating
• Catalog
• Undervoltage lockout (Typ)
• 3
• Driver configuration
• Single

LM5112的完整型号有：LM5112MY/NOPB、LM5112MYX/NOPB、LM5112SD/NOPB、LM5112SDX/NOPB、LM5112SD，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LM5112MY/NOPB，工作温度：PropertyValue，封装：HVSSOP (DGN)-8，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5112MY/NOPB的批量USD价格：.4（1000+）

LM5112MYX/NOPB，工作温度：PropertyValue，封装：HVSSOP (DGN)-8，包装数量MPQ：3500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5112MYX/NOPB的批量USD价格：.51（1000+）

LM5112SD/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (NGG)-6，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LM5112SD/NOPB的批量USD价格：.612（1000+）

LM5112SDX/NOPB，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (NGG)-6，包装数量MPQ：4500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5112SDX/NOPB的批量USD价格：.51（1000+）

LM5112SD，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (NGG)-6，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNPB，TI官网LM5112SD的批量USD价格：.816（1000+）

UCC27423-4-5-Q1EVM — 具有使能端的 UCC2742xQ1 双路 4A 高速低侧 MOSFET 驱动器评估模块 (EVM)

UCC2742xQ1 EVM 是一款高速双 MOSFET 评估模块，其提供了用于快速轻松地启动 UCC2742xQ1 驱动器的测试平台。由 4V 到 15V 外部单电源供电，具有一整套测试点和跳线。所有器件均具有独立的输入和输出线路，且所有器件均共享一个共用接地。提供使能 (ENBL) 功能旨在更好地控制驱动器应用的操作，器件的驱动器信号可通过同一使能引脚启用或禁用。

LM5112 PSpice Transient Model

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