LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计，适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VDD 电压多高，它都能够承受高达 14V 的输入电压。LM5113-Q1 具有分栅输出的能力，可独立灵活地调节开通和关断强度。

此外，LM5113-Q1 具有非常可靠的灌电流能力，使栅极保持低电平，从而防止开关操作期间发生误导通。LM5113-Q1 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113-Q1 采用带有裸露焊盘的标准 10 引脚 WSON 封装，可改善功耗。

• 符合汽车应用 标准
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
  • 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类等级 1C
  • 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6
• 独立的高侧和低侧TTL 逻辑输入
• 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力
• 高侧浮动偏置电压轨工作电压高达 100VDC
• 内部自举电源电压钳位
• 分离输出实现可调的开通和关断应力
• 0.6? 下拉电阻，2.1? 上拉电阻
• 快速传播时间（典型值为 28ns）
• 优异的传播延迟（典型值为 1.5ns)
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗

• Bus voltage (Max) (V)
• 100
• Power switch
• MOSFET, GaNFET
• Input VCC (Min) (V)
• 4.5
• Input VCC (Max) (V)
• 5.5
• Peak output current (A)
• 5
• Rise time (ns)
• 7
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 4
• Rating
• Automotive
• Number of channels (#)
• 2
• Fall time (ns)
• 3.5
• Prop delay (ns)
• 30
• Iq (uA)
• 150
• Input threshold
• TTL
• Channel input logic
• TTL
• Negative voltage handling at HS pin (V)
• -5
• Features
• Bootstrap supply voltage clamping, Split outputs on high and low side
• Driver configuration
• Half Bridge

LM5113-Q1的完整型号有：LM5113QDPRRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LM5113QDPRRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (DPR)-10，包装数量MPQ：4500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LM5113QDPRRQ1的批量USD价格：1.781（1000+）

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LM5113 Unencrypted Spice Transient Model (Rev. B)

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