LM5116 是一款用于由高压或宽范围变化输入电源供电的降压稳压器应用的同步降压控制器。 此控制方法基于采用一个经仿真电流斜坡的电流模式控制。 电流模式控制可提供固有的线路前馈、逐周期电流限制和简化的环路补偿。 经仿真控制斜坡的使用减少了脉宽调制电路的噪声敏感度，从而实现高输入电压应用中所必需的对极小占空比的可靠控制。 工作频率可在 50kHz 至 1MHz 之间进行编程。 LM5116 使用自适应死区时间控制来驱动外部高侧和低侧 NMOS 功率开关。 一个用户可选二极管仿真模式可实现断续模式运行，以提高轻负载时的效率。 一个低静态电流关断禁用控制器，并且消耗的总输入电流少于 10µA。 额外特性包括一个高压偏置稳压器、用于提高效率的自动切换至外部偏压、热关断、频率同步、逐周期限流限制和可调线路欠压闭锁。

• 仿真峰值电流模式
• 高达 80V 的宽工作范围
• 低 IQ 关断 (< 10μA)
• 驱动标准或逻辑电平金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 稳健耐用的 3.5A 峰值栅极驱动
• 自由运行或同步运行至 1MHz
• 可选二极管仿真模式
• 从 1.215V 至 80V 的可编程输出
• 精密 1.5% 电压基准
• 可编程电流限制
• 可编程软启动
• 可编程线路欠压闭锁
• 自动切换至外部偏置电源

应用范围

• 潜孔打钻
• 高温环境

支持极端温度环境下的应用

• 受控基线
• 同一组装和测试场所
• 同一制造场所
• 支持极端（-55°C 至 175°C）温度范围
• 延长的产品生命周期
• 延长的产品变更通知
• 产品可追溯性
• 德州仪器 （TI） 高温产品利用高度优化的硅（芯片）解决方案，此解决方案对设计和制造工艺进行了提升以在扩展的温度范围内大大地提高性能。

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• Vin (Min) (V)
• 6
• Vin (Max) (V)
• 80
• Vout (Min) (V)
• 1.215
• Vout (Max) (V)
• 80
• Iout (Max) (A)
• 20
• Iq (Typ) (uA)
• 4600
• Switching frequency (Min) (kHz)
• 50
• Switching frequency (Max) (kHz)
• 1000
• Features
• Enable, Frequency Synchronization, Light Load Efficiency
• Regulated outputs (#)
• 1
• Number of phases
• 1
• Rating
• High Temp

LM5116-HT的完整型号有：LM5116HJD，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LM5116HJD，工作温度：-55 to 175，封装：CDIP SB (JD)-20，包装数量MPQ：18个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：AU，TI官网LM5116HJD的批量USD价格：141.75（1000+）

LM5116 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. B)

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