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LM66100-Q1的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:电源开关 - 理想二极管/ORing 控制器
  • 功能描述:具有集成式 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管
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LM66100-Q1的产品详情:

LM66100-Q1 是一款单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管,是各种应用的理想之选。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET,并且支持 1.5A 的最大持续电流。

该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时,该器件被禁用并且 MOSFET 关断。当 CE 引脚电压比较低时,MOSFET 开启。LM66100-Q1 还具有反极性保护 (RPP) 功能,可保护器件不受输入接线错误的影响,例如电池装反。

可在 ORing 配置中使用两个 LM66100-Q1 器件,其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中,该器件将最高输入电压传递到输出端,同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可比较输入和输出电压,从而确保内部电压比较器成功阻断反向电流。

LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装,工作结温范围为 –40°C 至 150°C。

LM66100-Q1的优势和特性:
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 宽工作电压范围:1.5V 至 5.5V
  • VIN 反向关断电压: 绝对最大值为 –6V
  • 最大持续电流 (IMAX):1.5A
  • 导通电阻 (RON):
    • 5V VIN = 79mΩ(典型值)
    • 3.6V VIN = 91mΩ(典型值)
    • 1.8V VIN = 141mΩ(典型值)
  • 启用比较器芯片 (CE)
  • 通道状态指示 (ST)
  • 低电流消耗:
    • 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN):120nA(典型值)
    • 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN):150nA(典型值)
LM66100-Q1的参数(英文):
  • Vin (Min) (V)
  • 1.5
  • Vin (Max) (V)
  • 5.5
  • Features
  • Enable, ON/OFF control
  • Iq (Typ) (mA)
  • 0.00015
  • Iq (Max) (mA)
  • 0.0003
  • Operating temperature range (C)
  • -40 to 125
  • VSense reverse (Typ) (mV)
  • 46
  • Design support
  • EVM
  • Rating
  • Automotive
  • Channel(s) controlled (#)
  • 1
  • FET
  • Enable, ON/OFF control
LM66100-Q1具体的完整产品型号参数及价格(美元):

LM66100-Q1的完整型号有:LM66100QDCKRQ1、PLM66100QDCKRQ1,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

LM66100QDCKRQ1,工作温度:-40 to 125,封装:SC70 (DCK)-6,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网LM66100QDCKRQ1的批量USD价格:.1(1000+)

PLM66100QDCKRQ1,工作温度:-40 to 125,封装:SC70 (DCK)-6,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网PLM66100QDCKRQ1的批量USD价格:.1(1000+)

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LM66100-Q1的评估套件:

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