LM74501-Q1 与外部 N 沟道 MOSFET 搭配使用，可实现低损耗反极性保护解决方案。该器件支持 3.2V 至 65V 的宽电源电压输入范围。3.2V 输入电压支持特别适合对冷启动有严苛要求的汽车系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 -18V 的负电源电压的影响。LM74501-Q1 没有反向电流阻断功能，适用于对有可能将能量传输回输入电源的负载（如汽车车身控制模块电机负载）提供输入反极性保护。

LM74501-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74501-Q1 具有一项独特的集成功能，即无需额外的 TVS 二极管（无 TVS）即可使系统符合汽车 ISO7637 脉冲 1 瞬态要求。LM74501-Q1 具有一个集成开关，可通过外部电阻分压器来实现电池电压监控。With the enable pin low, the controller is off and draws only around 1 µA of current, thus offering low system current when put into sleep mode.

• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
  • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类等级 2
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
• –18V 反向电压额定值
• 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
• 栅极放电计时器：无需额外的 TVS 二极管（无 TVS）即可符合汽车 ISO7637-2 脉冲 1 瞬态要求
• 1μA 关断电流（EN = 低电平）
• 80μA 典型工作静态电流（EN = 高电平）
• 20V VDS 钳位（EN = 低电平）
• 集成电池电压监控开关 (SW)
• 2.90mm × 1.60mm 8 引脚 SOT-23 封装

• Vin (Min) (V)
• 3.2
• Vin (Max) (V)
• 65
• Features
• Enable
• Iq (Typ) (mA)
• 0.08
• Iq (Max) (mA)
• 0.13
• IGate source (Typ) (uA)
• 11000
• IGate pulsed (Typ) (A)
• 2.3
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Rating
• Automotive
• Channel(s) controlled (#)
• 1
• FET
• External

LM74501-Q1的完整型号有：LM74501QDDFRQ1、PLM74501QDDFRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LM74501QDDFRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23-THIN (DDF)-8，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LM74501QDDFRQ1的批量USD价格：.577（1000+）

PLM74501QDDFRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23-THIN (DDF)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：-，引脚镀层/焊球材料：-，TI官网PLM74501QDDFRQ1的批量USD价格：.577（1000+）

LM74501Q1EVM — LM74501-Q1 具有集成 VDS 钳位的反极性保护控制器评估模块

The LM74501-Q1 evaluation module (LM74501Q1EVM) helps designers evaluate the operation and performance of the LM74501-Q1 reverse polarity protection controller. This evaluation module demonstrates how an N-channel power MOSFET can be used to realize input reverse voltage protection with low IQ (...)

LM74501-Q1 PSpice Transient Model

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