- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:电源开关 - 理想二极管/ORing 控制器
- 功能描述:汽车类反极性保护控制器,过压保护,栅极驱动强度 11mA
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LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是符合汽车 AEC-Q100 标准的控制器,与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作,可实现低损耗反极性保护和负载断开解决方案。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例如:12V、24V 和 48V 汽车电池系统)的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。LM74502-Q1、LM74502H-Q1 没有反向电流阻断功能,适用于对有可能将能量传输回输入电源的负载(如汽车车身控制模块电机负载)提供输入反极性保护。
LM74502-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74502-Q1 的高电压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准的系统设计。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1µA 的电流,从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502-Q1 具有可编程的过压和欠压保护功能,可在发生这些故障时将负载从输入源切断。
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
- -65V 输入反向电压额定值
- 集成电荷泵用于驱动
- 外部背对背 N 沟道 MOSFET
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外部高侧开关 MOSFET
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外部反极性保护 MOSFET
- 栅极驱动器型号
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LM74502-Q1:60μA 峰值栅极驱动拉电流能力
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LM74502H-Q1:11mA 峰值栅极驱动拉电流能力
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2A 峰值栅极灌电流能力
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1μA 关断电流(EN/UVLO = 低电平)
- 45μA 典型工作静态电流(EN/UVLO = 高电平)
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可调节过压和欠压保护
- 采用额外的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 脉冲 1 瞬态要求
- 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
- Vin (Min) (V)
- 3.2
- Vin (Max) (V)
- 65
- Features
- Enable, Reverse polarity protection
- Iq (Typ) (mA)
- 0.06
- Iq (Max) (mA)
- 0.110
- IGate source (Typ) (uA)
- 11000
- IGate sink (Typ) (mA)
- 2370
- IGate pulsed (Typ) (A)
- 2.37
- Operating temperature range (C)
- -40 to 125
- IReverse (Typ) (uA)
- 100
- Design support
- EVM
- Rating
- Automotive
- Channel(s) controlled (#)
- 1
- FET
- External
LM74502H-Q1的完整型号有:LM74502HQDDFRQ1、PLM74502HQDDFRQ1,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
LM74502HQDDFRQ1,工作温度:-40 to 125,封装:SOT-23-THIN (DDF)-8,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网LM74502HQDDFRQ1的批量USD价格:.8(1000+)
PLM74502HQDDFRQ1,工作温度:-40 to 125,封装:SOT-23-THIN (DDF)-8,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:-,引脚镀层/焊球材料:-,TI官网PLM74502HQDDFRQ1的批量USD价格:.8(1000+)
LM74502Q1EVM — 适用于 LM74502-Q1 和 LM74502H-Q1 理想二极管控制器的评估模块
LM74502Q1EVM 评估模块用于评估具有开关输出的理想二极管控制器 LM74502-Q1 和 LM74502H-Q1 的性能。LM74502-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而对具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器进行仿真。
LM74502H-Q1 PSpice Model
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