LM74502/LM74502H 控制器与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开的解决方案。该器件也可以配置为具有过压保护功能的负载开关，用于驱动高侧 MOSFET。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如，12V、24V 和 48V 输入系统）的控制。该器件可以承受并保护负载免受低至 -65V 的负电源电压的影响。LM74502/LM74502H 没有反向电流阻断功能，仅适用于进行输入反极性保护。

LM74502 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流，从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502 和 LM74502H 还具有可编程的过压和欠压保护功能，可在发生故障时将负载从输入源切断。这些器件采用 2.9mm × 1.6mm 8 引脚 DDF 封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

• 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
• -65V 输入反向电压额定值
• 集成电荷泵用于驱动
  • 外部背对背 N 沟道 MOSFET

  • 外部高侧开关 MOSFET

  • 外部反极性保护 MOSFET

• 栅极驱动器型号
  • LM74502：60μA 峰值栅极驱动拉电流能力
  • LM74502H：11mA 峰值栅极驱动拉电流能力
• 2.3A 峰值栅极灌电流能力
• 使能引脚特性
• 45μA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高电平）
• 1μA 关断电流（EN/UVLO = 低电平）
• 可调节过压和欠压保护
• –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
• 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm

• Vin (Min) (V)
• 3.2
• Vin (Max) (V)
• 65
• Features
• Enable, Reverse polarity protection
• Iq (Typ) (mA)
• 0.06
• Iq (Max) (mA)
• 0.110
• IGate source (Typ) (uA)
• 11000
• IGate sink (Typ) (mA)
• 2370
• IGate pulsed (Typ) (A)
• 2.37
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• IReverse (Typ) (uA)
• 100
• Design support
• EVM
• Rating
• Catalog
• Channel(s) controlled (#)
• 1
• FET
• External

LM74502H的完整型号有：LM74502HDDFR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LM74502HDDFR，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23-THIN (DDF)-8，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LM74502HDDFR的批量USD价格：.7（1000+）

LM74502EVM — 适用于 LM74502 和 LM74502H 理想二极管控制器的评估模块

LM74502EVM 是一款评估模块，用于评估具有开关输出的理想二极管控制器 LM74502 和 LM74502H 的性能。LM74502 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而对具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器进行仿真。

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