LM74610-Q1 是一款控制器器件，可与 N 沟道 MOSFET 一同用于反极性保护电路。 其设计用于驱动外部 MOSFET，串联电源时可模拟理想二极管整流器。 该机制的独特优势在于不以接地为参考，因此 Iq 为零。

LM74610-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并配有快速响应内部比较器，可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。 这种快速降压特性有效限制了检测到反极性时反向电流的大小和持续时间。 此外，该器件设计选用了合适的 TVS 二极管，符合 CISPR25 5 类 EMI 规范和汽车类 ISO7637 瞬态要求。

• 符合汽车应用要求
• 具有符合 AEC-Q100 的下列结果：
  • 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
  • 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B
• 最低反向电压：45V
• 正极引脚无正电压限制
• 适用于外部 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的电荷泵栅极驱动器
• 功耗比肖特基二极管/PFET 解决方案更低
• 低反极性泄漏电流
• 零 IQ
• 2μs 内快速响应反极性情况
• -40°C 至 125°C 工作环境温度
• 可用于 OR-ing 应用
• 符合 CISPR25 EMI 规范
• 选用了合适的瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管，满足汽车类 ISO7637 瞬态要求

应用

• 高级驾驶员辅助系统 (ADAS)
• 信息娱乐系统
• 电动工具（工业）
• 传输控制单元 (TCU)
• 电池 OR-ing 应用

• Vin (Min) (V)
• 0.48
• Vin (Max) (V)
• 42
• Features
• Linear control, Reverse polarity protection, Reverse current blocking
• Iq (Typ) (mA)
• 0
• Iq (Max) (mA)
• 0
• IGate source (Typ) (uA)
• 10
• IGate source (Max) (uA)
• 9.4
• IGate sink (Typ) (mA)
• 0.01
• IGate pulsed (Typ) (A)
• 0.1
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• IReverse (Typ) (uA)
• 110
• VSense reverse (Typ) (mV)
• 20
• Design support
• EVM
• Rating
• Automotive
• Channel(s) controlled (#)
• 1
• FET
• External
• VGS (Max) (V)
• 2.5

LM74610-Q1的完整型号有：LM74610QDGKRQ1、LM74610QDGKTQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LM74610QDGKRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：VSSOP (DGK)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网LM74610QDGKRQ1的批量USD价格：.871（1000+）

LM74610QDGKTQ1，工作温度：-40 to 125，封装：VSSOP (DGK)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网LM74610QDGKTQ1的批量USD价格：1.018（1000+）

DRV8243H-Q1EVM — DRV8243-Q1 automotive full bridge motor driver evaluation module with hardware interface

DRV824x-Q1 器件系列是完全集成式 H 桥驱动器，可广泛应用于汽车领域。DRV824x-Q1 器件可配置为单路 H 桥驱动器、两个独立的半桥驱动器。这款采用紧凑封装的单片芯片器件采用德州仪器 (TI) 专有的大功率 BiCMOS 工艺技术节点设计，可提供出色的电源处理和热性能，不仅封装尺寸小巧、易于布局，还可提供 EMI 控制、精确的电流感应和诊断功能，稳健性较高。DRV824x-Q1 具有相同的引脚功能和寄存器映射，利用可扩展电阻（电流能力）支持不同的负载，可更大程度减少设计改动。

该器件集成了 N (...)

DRV8243S-Q1LEVM — DRV8243-Q1 具有 SPI 接口的汽车全桥电机驱动器评估模块

DRV824x-Q1 器件系列是完全集成式 H 桥驱动器，可广泛应用于汽车领域。DRV824x-Q1 器件可配置为单路 H 桥驱动器、两个独立的半桥驱动器。这款采用紧凑封装的单片芯片器件采用德州仪器 (TI) 专有的大功率 BiCMOS 工艺技术节点设计，可提供出色的电源处理和热性能，不仅封装尺寸小巧、易于布局，还可提供 EMI 控制、精确的电流检测和诊断功能，稳健性较高。DRV824x-Q1 具有相同的引脚功能和寄存器映射，利用可扩展电阻（电流能力）支持不同的负载，可更大程度减少设计改动。

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EVMX777BG-01-00-00 — J6Entry、RSP 和 TDA2E-17 CPU 板评估模块

J6Entry、RSP 和 TDA2E-17 CPU 板 EVM 是一种评估平台，用于加快信息娱乐系统、可重新配置的数字群集或集成数字化驾驶舱以及 ADAS 应用的开发速度，并缩短其上市时间。CPU 板集成了并行摄像头接口、CAN、千兆位以太网、FPD-Link、USB3.0 和 HDMI 等主要外设。

EVMX777G-01-20-00 — J6Entry/RSP 信息娱乐（CPU + 显示屏 + JAMR3）评估模块

J6Entry/RSP EVM 是一种评估平台，用于加快信息娱乐系统、可重新配置的数字群集或集成数字化驾驶舱等应用的开发速度，并缩短其上市时间。

主 CPU 板集成了以太网或 HDMI 等主要外设，而信息娱乐应用子板 (JAMR3) 和 LCD/TS 子板将补充 CPU 板，从而提供完整的系统以快速开始评估和应用开发。

LM74610-DQEVM — 反极性保护智能二极管控制器 OR-ing 评估模块

LM74610-DQEVM 评估模块展示了二极管 OR-ing 配置中用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中，两个 LM74610 智能二极管控制器用于驱动两个 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET。LM74610-DQEVM 与两个单独的电压轨或电源串联时，可模拟理想二极管 OR-ing 的属性。此 OR-ing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。在任何输入中感应到负电压时，LM74610 拉下 MOSFET (...)

LM74610-SQEVM — 反极性保护智能二极管控制器评估模块

LM74610-SQEVM 评估模块展示了可用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中，LM74610 智能二极管控制器用于为 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动。LM74610-SQEVM 与电源串联时模拟理想的二极管属性。在输入中感应到负电压时，LM74610 拉下 MOSFET 栅极并将连接的负载与电源隔离。TVS 电压钳位二极管 D1_1 和 D1_2 负责保护 LM74610-SQEVM 的安全以便进行 ISO7637 瞬态脉冲测试。

LM74610-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. C)

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