LM74670-Q1 是一种控制器器件，可在交流发电机的全桥或半桥整流器架构中与 N 通道 MOSFET 搭配使用。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟理想二极管。此方案独一无二的优势在于其并无接地基准，因此其具有零 I_Q。采用全桥或半桥整流器和交流发电机的肖特基二极管可以替换为 LM74670-Q1 解决方案，以避免正向导电二极管损耗并使交流/直流转换器更加高效。

LM74670-Q1 控制器为外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动，并配有快速响应内部比较器，可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。此器件支持频率高达 300Hz 的交流信号。

• 符合 AEC-Q100 标准，其中包括以下内容：
  • 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境工作温度范围
  • 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
  • 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B
• 峰值输入交流电压：42V
• 零 IQ
• 适用于外部 N 通道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
• 与肖特基二极管相比，正向压降和功耗更低
• 能够处理频率高达 300Hz 的交流信号

• Vin (Min) (V)
• 0.48
• Vin (Max) (V)
• 42
• Features
• Linear control, Reverse polarity protection, Reverse current blocking
• Iq (Typ) (mA)
• 0
• Iq (Max) (mA)
• 0
• IGate source (Typ) (uA)
• 70
• IGate source (Max) (uA)
• 67
• IGate sink (Typ) (mA)
• 0.07
• IGate pulsed (Typ) (A)
• 0.1
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• IReverse (Typ) (uA)
• 110
• VSense reverse (Typ) (mV)
• 20
• Design support
• EVM, Reference Design, Simulation Model
• Rating
• Automotive
• Channel(s) controlled (#)
• 1
• FET
• External
• VGS (Max) (V)
• 2.5

LM74670-Q1的完整型号有：LM74670QDGKRQ1、LM74670QDGKTQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LM74670QDGKRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：VSSOP (DGK)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网LM74670QDGKRQ1的批量USD价格：.754（1000+）

LM74670QDGKTQ1，工作温度：-40 to 125，封装：VSSOP (DGK)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网LM74670QDGKTQ1的批量USD价格：.882（1000+）

LM74670-SQEVM — 反极性保护智能二极管控制器评估模块

LM74670-SQEVM 评估模块展示了可用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中，LM74670 智能二极管控制器用于为 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动。LM74670-SQEVM 与电源串联时模拟理想的二极管属性。在输入中感应到负电压时，LM74670 拉下 MOSFET 栅极并将连接的负载与电源隔离。TVS 电压钳位二极管 D1_1 和 D1_2 负责保护 LM74670-SQEVM 的安全以便进行 ISO7637 瞬态脉冲测试。

LM74670-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. A)

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TIDA-00858 — 新型高效率全桥整流器参考设计

TIDA-00858 以一种高效方法实现了全桥整流器。此参考设计用四个 N 沟道 MOSFET 取代二极管，在全桥整流器配置中与 LM74670-Q1 智能二极管控制器相结合。LM74670-Q1 是可以有效应对二极管损耗的零 IQ 替代方案。此设计可针对高达 45V 的交流输入电压产生整流直流电压，同时不产生二极管正向压降。它可处理频率为 300Hz 的交流输入和高达 100A 的输出电流，且与肖特基二极管整流器相比，热管理更加简单。