LM74700-EP 是一款理想二极管控制器，与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反向保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如：12V、24V 和 48V 系统）的控制。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压，并提供负载保护。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该电流调节方案可在反向电流事件中支持平稳关机，并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断，因此适用于在电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。

LM74700-EP 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74700-EP 的高电压额定值有助于简化用于汽车 ISO7637 保护的系统设计。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流。LM74700-EP 的完全额定工作温度范围为 T_A = –55°C 至 +125°C。

• 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
• -65V 反向电压额定值
• 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
• 20mV 阳极至阴极正向压降调节
• 使能引脚特性
• 1μA 关断电流（EN = 低电平）
• 80μA 工作静态电流（EN = 高电平）
• 2.3A 峰值栅极关断电流
• 快速响应反向电流阻断： 小于 0.75μs
• 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
• 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
• 军用级温度范围（–55°C 至 +125°C）
• 制造、组装和测试一体化基地
• 延长了产品生命周期
• 延长了产品变更通知
• 产品可追溯性

• Vin (Min) (V)
• 3.2
• Vin (Max) (V)
• 65
• Features
• Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection
• Iq (Typ) (mA)
• 0.08
• Iq (Max) (mA)
• 0.13
• IGate source (Typ) (uA)
• 11000
• IGate sink (Typ) (mA)
• 2370
• IGate pulsed (Typ) (A)
• 2.3
• Operating temperature range (C)
• -50 to 125
• VSense reverse (Typ) (mV)
• -11
• Design support
• EVM
• Rating
• HiRel Enhanced Product
• Channel(s) controlled (#)
• 1
• FET
• External

LM74700-EP的完整型号有：LM74700MDDFREP、V62/21608，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LM74700MDDFREP，工作温度：-50 to 125，封装：SOT-23-THIN (DDF)-8，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LM74700MDDFREP的批量USD价格：2.15（1000+）

V62/21608，工作温度：-50 to 125，封装：SOT-23-THIN (DDF)-8，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网V62/21608的批量USD价格：2.15（1000+）

LM74700DDFEVM — LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80μA IQ 汽车类理想二极管控制器（DDF 封装）评估模块

LM74700DDFEVM 可帮助设计人员评估 LM74700-Q1 的运行情况和性能，LM74700-Q1 是 3.2V 至 65V、80μA IQ 汽车类二极管控制器（采用 DDF 封装）。此评估模块演示了 N 沟道功率 MOSFET 如何能够仿真具有低 IQ 和 IC 低漏电流的超低正向电压二极管。

LM74700-Q1 PSpice Transient Model

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