LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100 kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35 µA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3 µA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护功能，可提供负载突降保护。

• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
  • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类等级 2
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 3V 至 65V 输入范围
• 反向输入保护低至 –65V
• 低静态电流：运行时 35 μA（最大值）
• 3.3 μA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）
• 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
• 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
• 集成型 29 mA 升压稳压器
• 快速响应反向电流阻断：0.5 μs
• 高达 100 kHz 的有源整流
• 可调节过压保护
• 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
• 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
• 与 LM74721-Q1 引脚对引脚兼容

• Vin (Min) (V)
• 3
• Vin (Max) (V)
• 65
• Features
• Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection
• Iq (Typ) (mA)
• 0.032
• Iq (Max) (mA)
• 0.038
• IGate sink (Typ) (mA)
• 2.1
• IGate pulsed (Typ) (A)
• 2.1
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• VSense reverse (Typ) (mV)
• -6.5
• Design support
• EVM
• Rating
• Automotive
• Channel(s) controlled (#)
• 1
• FET
• External
• VGS (Max) (V)
• 13

LM74720-Q1的完整型号有：LM74720QDRRRQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LM74720QDRRRQ1，工作温度：-40 to 125，封装：WSON (DRR)-12，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LM74720QDRRRQ1的批量USD价格：0.926（1000+）

LM7472EVM — 适用于 LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 理想二极管控制器的评估模块

TI 的评估模块 LM7472EVM 可帮助设计人员评估 LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。LM7472x-Q1 具有低 IQ，通过集成的升压稳压器可实现快速瞬态响应。本评估模块演示了 LM7472x-Q1 如何通过连接理想二极管 MOSFET、使用另一个 MOSFET 实现开关输出和电源路径切断来控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET。

LM7472x-Q1 PSpice Transient Model

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