- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:电源开关 - 理想二极管/ORing 控制器
- 功能描述:用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器
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LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许负载断开(开/关控制)并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-Q1 有两种型号:LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能,而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置,可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET,可以保护负载免受过压瞬态(例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降)的影响。
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 –65V
- 在共漏极和共源极配置下,可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行 (LM74800-Q1)
- 低反向检测阈值 (–4.5mV),能够快速响应 (0.5μs)
- 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 可调节过压保护
- 2.87μA 低关断电流(EN/UVLO = 低电平)
- 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
- Vin (Min) (V)
- 3
- Vin (Max) (V)
- 65
- Features
- Linear control, Reverse polarity protection, Reverse current blocking
- Iq (Typ) (mA)
- 0.412
- Iq (Max) (mA)
- 0.495
- IGate source (Typ) (uA)
- 20000
- IGate sink (Typ) (mA)
- 2670
- IGate pulsed (Typ) (A)
- 2.6
- Operating temperature range (C)
- -40 to 125
- VSense reverse (Typ) (mV)
- -4.5
- Design support
- EVM, Simulation Model
- Rating
- Automotive
- Channel(s) controlled (#)
- 2
- FET
- External
- VGS (Max) (V)
- 15
LM7480-Q1的完整型号有:LM74800QDRRRQ1、LM74801QDRRRQ1,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
LM74800QDRRRQ1,工作温度:-40 to 125,封装:WSON (DRR)-12,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网LM74800QDRRRQ1的批量USD价格:1.152(1000+)
LM74801QDRRRQ1,工作温度:-40 to 125,封装:WSON (DRR)-12,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网LM74801QDRRRQ1的批量USD价格:1.152(1000+)
LM74800EVM-CD — LM74800-Q1 ideal diode controller evaluation module
TI's Evaluation Module LM74800EVM-CD helps designers evaluate the operation and performance of the LM7480-Q1 ideal diode controllers (LM74800QDRR and LM74801QDRR) in reverse battery protection applications. This evaluation module demonstrates how LM7480-Q1 controls two back-back N-channel power (...)
LM74800EVM-CS — LM7480-Q1 理想二极管控制器评估模块
TI 的评估模块 LM74800EVM-CD 可帮助设计人员评估 LM7480-Q1 理想二极管控制器(LM74800QDRR 和 LM74801QDRR)在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示 LM7480-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET,首先连接理想二极管 MOSFET,之后连接第二个 MOSFET 以实现开关输出和电源路径切断。
LM74800-Q1 PSPICE Transient Model
PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。
在?PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
TIDA-020031 — 汽车类 400V 电池至 12V、3.6kW 直流/直流转换器参考设计
此参考设计是一款 3.6kW、400V 至 12V 的汽车单向转换器,可将 200V 至 450V 的直流输入转换为 12V、300A 的最大输出。断路器适用于过流和过压保护。转换器在高压侧采用 SiC MOSFET 进行设计,并由 5.7kVRMS 增强隔离型双通道栅极驱动器驱动。这种增强型相移全桥控制器实现了可编程延迟,可确保在多种操作条件下实现零电压开关 (ZVS)。它具有多种轻载管理特性,包括突发模式以及切入和切出不连续电流模式 (DCM) 时的动态 SR 开关控制。这种输出实现了同步整流,可实现快速瞬态响应和高环路带宽。TIDA-010242 — MIL-STD-1275 浪涌保护参考设计
MIL-STD-1275E 标准提供了适用于军用车辆设备的 28V 直流输入电源这一全新特性。该标准描述了在军用车辆运行期间发生的三个主要事件,必须保护连接至 28V 主电源的任何设备免受这三个事件的影响。这些事件包括反极性、电压尖峰和电压浪涌。要度过这些事件,请勿在反极性事件期间运行保护电路。在尖峰和浪涌事件期间,保护电路的输出应为标称值 28V、最大值 34V。此参考设计采用可处理最大 120W 输出的两级钳位电路。通过实施两级钳位电路,该设计有助于降低物料清单 (BOM) 的总体成本并尽可能减小整体尺寸。TIDA-010240 — 可扩展的多智能电池包充电器参考设计
超过 100 瓦时 (Wh) 的锂电池通常不允许放在随身行李中,除非航空公司自行规定并需要事先批准。该参考设计是一种智能高效充电器设计,适用于高达 100Wh 的双智能电池包(实际为采用并联配置的 1 节至 5 节锂离子电池)。