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LM7481-Q1的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:电源开关 - 理想二极管/ORing 控制器
  • 功能描述:支持驱动背对背 NFET、具有高栅极驱动能力的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器
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LM7481-Q1的产品详情:

LM74810-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持。具有 60mA 峰值栅极拉电流驱动器级以及短导通和关断延迟时间的 3.8mA 强电荷泵可确保快速的瞬态响应,从而确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,在汽车测试中 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200KHz 的交流叠加输入信号。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许负载断开(开/关控制)并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能,以提供负载突降保护。

LM7481-Q1的优势和特性:
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 9.1mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (–4mV),能够快速响应 (0.5μs)
  • 高达 200KHz 的有源整流
  • 60mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 集成 3.8mA 电荷泵
  • 可调节过压保护
  • 2.87μA 低关断电流(EN/UVLO = 低电平)
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
LM7481-Q1的参数(英文):
  • Vin (Min) (V)
  • 3
  • Vin (Max) (V)
  • 65
  • Features
  • Linear control, Reverse polarity protection, Reverse current blocking
  • Iq (Typ) (mA)
  • 0.428
  • Iq (Max) (mA)
  • 0.5
  • IGate source (Typ) (uA)
  • 60000
  • IGate sink (Typ) (mA)
  • 1500
  • IGate pulsed (Typ) (A)
  • 2.6
  • Operating temperature range (C)
  • -40 to 125
  • VSense reverse (Typ) (mV)
  • -4.5
  • Design support
  • EVM, Simulation Model
  • Rating
  • Automotive
  • Channel(s) controlled (#)
  • 2
  • FET
  • External
  • VGS (Max) (V)
  • 15
LM7481-Q1具体的完整产品型号参数及价格(美元):

LM7481-Q1的完整型号有:LM74810QDRRRQ1,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

LM74810QDRRRQ1,工作温度:-40 to 125,封装:WSON (DRR)-12,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网LM74810QDRRRQ1的批量USD价格:1.226(1000+)

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LM7481-Q1的评估套件:

LM74810EVM — LM7481-Q1 理想二极管控制器评估模块

TI 的评估模块 LM74810EVM 可帮助设计人员评估 LM7481-Q1 理想二极管控制器 (LM74810QDRR) 在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示 LM7481-Q1 理想二极管控制器为更高功率 (>100W) 汽车 ECU 设计提供反向电池保护的能力。该器件控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET,首先连接理想二极管 MOSFET,之后连接第二个 MOSFET 以实现开关输出和电源路径切断。

LM74810-Q1 PSPICE Transient Model

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