The LMG1205 is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in a synchronous buck, boost, or half-bridge configuration. The device has an integrated 100-V bootstrap diode and independent inputs for the high-side and low-side outputs for maximum control flexibility. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique and is internally clamped at 5 V, which prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the LMG1205 are TTL logic compatible and can withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LMG1205 has split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently.

In addition, the strong sink capability of the LMG1205 maintains the gate in the low state, preventing unintended turnon during switching. The LMG1205 can operate up to several MHz. The LMG1205 is available in a 12-pin DSBGA package that offers a compact footprint and minimized package inductance.

• Independent High-Side and Low-Side TTL Logic Inputs
• 1.2-A Peak Source, 5-A Sink Current
• High-Side Floating Bias Voltage Rail Operates up to 100 VDC
• Internal Bootstrap Supply Voltage Clamping
• Split Outputs for Adjustable Turnon, Turnoff Strength
• 0.6-? Pulldown, 2.1-? Pullup Resistance
• Fast Propagation Times (35 ns Typical)
• Excellent Propagation Delay Matching (1.5 ns Typical)
• Supply Rail Undervoltage Lockout
• Low Power Consumption

• Power switch
• MOSFET, GaNFET
• Input VCC (Min) (V)
• 4.5
• Input VCC (Max) (V)
• 5.5
• Peak output current (A)
• 5
• Rise time (ns)
• 7
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 4
• Rating
• Catalog
• Number of channels (#)
• 2
• Fall time (ns)
• 3.5
• Prop delay (ns)
• 35
• Iq (uA)
• 90
• Input threshold
• TTL
• Channel input logic
• TTL
• Negative voltage handling at HS pin (V)
• -5
• Features
• Bootstrap supply voltage clamping, Split outputs on high and low side
• Driver configuration
• Half Bridge

LMG1205的完整型号有：LMG1205YFXR、LMG1205YFXT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LMG1205YFXR，工作温度：-40 to 125，封装：DSBGA (YFX)-12，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网LMG1205YFXR的批量USD价格：1.311（1000+）

LMG1205YFXT，工作温度：-40 to 125，封装：DSBGA (YFX)-12，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网LMG1205YFXT的批量USD价格：1.573（1000+）

LMG1205HBEVM — LMG1205 GaN 功率级评估模块

80V 10A 功率级 EVM - LMG1205 半桥 EVM 板是一款具有外部 PWM 信号的小型易用功率级。该 EVM 适用于在许多不同的直流/直流转换器拓扑中评估 LMG1205 的驱动 GaN 半桥的性能。它可用于估算半桥的性能，以测量效率。该模块能够提供的最大电流为 10A。但是，应进行充分的热管理（强制通风、低频运行等）以确保不超出板载组件的最大工作温度规范。由于该 EVM 为开环板，因此不适用于瞬态测量。

LMG1205 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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LMG1205 Component Design Calculator and Schematic Review

此参考设计适用于 54V 至 VCore 稳压器模块 (VRM) 的两级电源架构，该模块可为数据中心中 48V 机架式电源架构的 CPU、GPU 和 DDR 存储器供电。第一级是非稳压 LLC 谐振转换器，该转换器具有集成式平面磁性结构和 6:1 的固定变压比。LLC 模块使用 UCD3138a 控制器和 CSD95490Q5MC 智能功率级作为次级侧同步整流器，并使用具有 EPC2045 GaN 器件的 LMG1205 作为初级侧。LLC 模块提供 600W 的持续输出功率和 98.2% 的最大效率，而最大工作频率为 1MHz。该模块提供 1700W/in3 的功率密度。第二级使用 (...)