LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发， 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO，可确保 5V 的栅极驱动器电压（而与电源电压无关）。

为了在各种应用中获得 最佳性能，LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时，内部开关会关闭自举二极管，以有效防止高侧自举过度充电，并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF，以减少额外的开关损耗。

该 LMG1210 具有 两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行，并采用低电感 WQFN 封装。

• 工作频率高达 50MHz
• 10ns 典型传播延迟
• 3.4ns 高侧至低侧匹配
• 4ns 最小脉宽
• 两个控制输入选项
  • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
  • 独立输入模式
• 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流
• 外部自举二极管可实现灵活性
• 内部 LDO 可实现对电压轨的适应能力
• 高 300V/ns CMTI
• HO 到 LO 的电容小于 1pF
• UVLO 和过热保护
• 低电感 WQFN 封装

• Bus voltage (Max) (V)
• 300
• Power switch
• MOSFET, GaNFET
• Input VCC (Min) (V)
• 6
• Input VCC (Max) (V)
• 18
• Peak output current (A)
• 3
• Rise time (ns)
• 0.5
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125
• Undervoltage lockout (Typ)
• 4
• Rating
• Catalog
• Number of channels (#)
• 2
• Fall time (ns)
• 0.5
• Prop delay (ns)
• 10
• Iq (uA)
• 300
• Input threshold
• TTL
• Channel input logic
• TTL/PWM
• Features
• Resistor-controllable deadtime, Internal LDO, Bootstrap supply voltage clamp
• Driver configuration
• Half Bridge

LMG1210的完整型号有：LMG1210RVRR、LMG1210RVRT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LMG1210RVRR，工作温度：-40 to 125，封装： (RVR)-19，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LMG1210RVRR的批量USD价格：2.216（1000+）

LMG1210RVRT，工作温度：-40 to 125，封装： (RVR)-19，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网LMG1210RVRT的批量USD价格：2.659（1000+）

LMG1210EVM-012 — LMG1210 半桥开环评估模块

LMG1210EVM-012 旨在用于评估适用于 GaN FET 的 LMG1210 兆赫兹级 200V 半桥驱动器。该 EVM 由两个配置在同一半桥中的氮化镓 FET 组成，这两个 FET 由一个 LMG1210 驱动。评估板上没有控制器。

LMG1210 PSpice Transient Model (Rev. C)

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LMG1210 Component Design Calculator and Schematic Review

该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381（对于硅电源）和采用 EPC2111 的 LMG1210（对于 GaN 电源），以提供 0.8V 的电压和 10A 的电流。该设计将硅功率级与 GaN 功率级进行比较，以说明在使用 GaN 进行设计时的设计折衷和必要的优化。

TIDA-01634 — 适用于高速直流/直流转换器的数兆赫兹 GaN 功率级参考设计

此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著改善功率密度，同时还能实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用，例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。