LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

LMG341xR050 通过集成一系列独一无二的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。

• TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
• 支持高密度电源转换设计
  • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
  • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
  • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
  • 数字故障状态输出信号
  • 仅需 +12V 非稳压电源
• 集成栅极驱动器
  • 零共源电感
  • 20ns 传播延迟，确保 MHz 级工作频率
  • 工艺经过调整的栅极偏置电压，确保可靠性
  • 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
• 强大的保护
  • 无需外部保护组件
  • 过流保护，响应时间低于 100ns
  • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
  • 瞬态过压抗扰度
  • 过热保护
  • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
• 强大的保护
  • LMG3410R050：锁存过流保护
  • LMG3411R050：逐周期过流保护

• VDS (Max) (V)
• 600
• RDS (on) (Milliohm)
• 50
• ID (Max) (A)
• 12
• Rating
• Catalog

LMG3410R050的完整型号有：LMG3410R050RWHR、LMG3410R050RWHT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LMG3410R050RWHR，工作温度：-40 to 150，封装：VQFN (RWH)-32，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168HRS，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LMG3410R050RWHR的批量USD价格：6.8（1000+）

LMG3410R050RWHT，工作温度：-40 to 150，封装：VQFN (RWH)-32，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168HRS，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LMG3410R050RWHT的批量USD价格：8.16（1000+）

LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板，可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 8A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50m? GaN 半桥子卡

LMG3410EVM-018 将两个具有集成式驱动器和保护功能的 LMG3410R050 600-V GaN FET 配置到了一个半桥中。此 EVM 随附所有必要的辅助外围电路，旨在与大型系统配合使用。

LMG3410R050 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet (Rev. B)

此参考设计是一款 4kW 交错式 CCM 图腾柱 (TTPL) 无桥 PFC 参考设计，采用了 64 引脚 C2000™ 微控制器、LM3410 氮化镓器件和 TMCS1100 霍尔传感器。它基于使用 C2000™ MCU 的 TIDM-02008 双向交互式 CCMTTPL无桥 PFC 参考设计，并将整个 PCB 的尺寸降至 145mm x 105mm x 35mm。氮化镓 (GaN) 器件用于功率级，可实现 98.73% 的峰值效率。该设计包含切相、自适应死区时间和输入电容补偿等高级功能，可提高负载范围内的 PF (...)