LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

LMG341xR050 通过集成一系列独一无二的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。

• TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
• 支持高密度电源转换设计
  • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
  • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
  • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
  • 数字故障状态输出信号
  • 仅需 +12V 非稳压电源
• 集成栅极驱动器
  • 零共源电感
  • 20ns 传播延迟，确保 MHz 级工作频率
  • 工艺经过调整的栅极偏置电压，确保可靠性
  • 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
• 强大的保护
  • 无需外部保护组件
  • 过流保护，响应时间低于 100ns
  • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
  • 瞬态过压抗扰度
  • 过热保护
  • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
• 强大的保护
  • LMG3410R050：锁存过流保护
  • LMG3411R050：逐周期过流保护

• VDS (Max) (V)
• 600
• RDS (on) (Milliohm)
• 50
• ID (Max) (A)
• 12
• Rating
• Catalog

LMG3411R050的完整型号有：LMG3411R050RWHR、LMG3411R050RWHT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LMG3411R050RWHR，工作温度：-40 to 150，封装：VQFN (RWH)-32，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168HRS，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LMG3411R050RWHR的批量USD价格：6.8（1000+）

LMG3411R050RWHT，工作温度：-40 to 150，封装：VQFN (RWH)-32，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168HRS，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LMG3411R050RWHT的批量USD价格：8.16（1000+）

LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板，可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 8A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70m? GaN 半桥子卡

LMG34XX-BB-EVM 是易于使用的输出板，可配置 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG34XX 半桥板（作为同步降压转换器）。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件开关。该 EVM 能够在提供充分的热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 8A 的输出电流，以确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合于瞬态测量，因为该板是开环板。仅需要单脉冲宽度调制输入，在板上生成互补脉冲宽度调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，以便允许使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。LMG3410-HB-EVM (...)

LMG3411EVM-018 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R050 600V 50m? GaN 半桥子卡

LMG3411EVM-018 将两个 LMG3411R050 GaN FET 配置到具有逐周期过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。 该 EVM 需要与大型系统配合使用。

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在?PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)

GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet (Rev. B)

此参考设计采用能测量电流的霍尔效应电流传感器 TMCS1100，绝对误差 < 1%（–40°C 至 125°C），工作隔离电压高达 600V。该低电阻、一体式封装的电流感应元件无需高侧电源即可提供紧凑、高效的电流感应解决方案，实现精密的电机扭矩、速度或位置控制。该逆变器功率级包括 600V LMG3411 氮化镓 (GaN) 功率模块，能使下一代电机驱动器进一步降低尺寸、提高效率。

PMP20873 — 效率高达 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计

Continuous-Conduction-Mode (CCM) Totem-pole power factor correction (PFC) is a simple but efficient power converter. To achieve 99% efficiency, there are many design details that need to be taken into account. The PMP20873 reference design uses TI’s 600VGaN power stage, (...)

PMP20289 — 采用高电压 GaN 器件的 400V – 12V/500W 高频谐振转换器参考设计

PMP20289 经搭建和测试用于验证高频（>400kHz 标称开关频率）LLC 系列谐振转换器 (LLC-SRC) 的性能，此转换器由德州仪器 (TI) 的高压 GaN FET 在标称（390V 至 12V）电压转换中实现。数字控制器 UCD3138A 与 UCD7138 SR 控制器配套使用，以优化 LLC-SRC 效率。TI 的高压直接驱动 GaN FET LMG3410 可用于实现快速开关，并且能够最大限度地缩短半桥开关之间的死区时间。测试结果表明，在 24A 负载下可实现 96.8% 的峰值效率，在 42A 全负载下可实现 96.3% 的效率（390V 至 12V (...)

PMP20637 — 具有 TI HV GaN FET 的高效率和高功率密度 1kW 谐振转换器参考设计

This reference design is a high efficiency, high power density and light weight resonant converter reference design. It converts a 390V input to a 48V/1kW output. The PMP20637 power stage has over 140W/in^3 power density. The whole board weight is less than 210g. With fixed 950kHz switching (...)

PMP21309 — 具有 HV GaN FET 的 24V/500W 谐振转换器参考设计

此参考设计是一种高频谐振转换器参考设计。使用谐振频率为 500kHz 的谐振回路，可将输出电压调节至 24V，输入电压介于 380V 至 400V 之间。此设计使用 TI 的高电压 GaN 器件 LMG3410R070 以及 UCD3138A 和 UCD7138 来优化死区时间和同步整流器 (SR) 导通，实现了 97.9% 的峰值效率。

PMP21842 — 具有 HV GaN FET 的 12V/500W 谐振转换器参考设计

This high-frequency resonant converter reference design regulates a 12-V output from a 380-V to 400-V input voltage range using a resonant tank with 500 kHz resonant frequency. A peak efficiency of 96.0% (bias supply included) is achieved with this design using our high-voltage GaN device along (...)