LMG341xR150 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

LMG341xR150 通过集成一系列独特的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。

• TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
• 支持高密度电源转换设计
  • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
  • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
  • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
  • 数字故障状态输出信号
  • 仅需 +12V 非稳压电源
• 集成栅极驱动器
  • 零共源电感
  • 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
  • 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
  • 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
  • 逐周期过流保护
• 强大的保护
  • 无需外部保护组件
  • 过流保护，响应时间低于 100ns
  • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
  • 瞬态过压抗扰度
  • 过热保护
  • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
• 器件选项：
  • LMG3410R150：锁存过流保护
  • LMG3411R150：逐周期过流保护

• VDS (Max) (V)
• 600
• RDS (on) (Milliohm)
• 150
• ID (Max) (A)
• 6
• Rating
• Catalog

LMG3411R150的完整型号有：LMG3411R150RWHR、LMG3411R150RWHT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LMG3411R150RWHR，工作温度：-40 to 150，封装：VQFN (RWH)-32，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168HRS，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LMG3411R150RWHR的批量USD价格：4（1000+）

LMG3411R150RWHT，工作温度：-40 to 150，封装：VQFN (RWH)-32，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168HRS，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LMG3411R150RWHT的批量USD价格：4.8（1000+）

LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板，可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 8A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

LMG3411EVM-031 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R150 600V 150m? GaN 半桥子卡

LMG3411EVM-031 在半桥中配置两个 LMG3411R150 GaN FET，具有逐周期过流保护功能和所有必要的辅助外围电路。 该 EVM 需要与大型系统配合使用。

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在?PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)

GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet (Rev. B)

此参考设计使用 UCC28811 功率因数校正 (PFC) 反激式控制器来创建隔离式 60V 输出，能够承受 1A 负载，同时保持较低的输入谐波失真。使用 LMG3411R150 GaN 初级开关可提高效率，实现小巧尺寸和运行期间低温升。

PMP21639 — 65-W USB Type-C high density active clamp flyback with GaN reference design

此参考设计是一款高密度 USB 适配器，使用了 UCC28780 有源钳位反激式控制器以及具有集成驱动器和保护功能的 LMG3411R150 GaN。在 20V 输出电压下，最大额定功率是 65W，可调整为 20V/15V/9V/5V 输出电压和 3A 电流。此设计的峰值效率为 93.7%。平均效率和待机功耗等级符合 DoE VI 级和 CoC 2 级限值。该设计具有紧凑的尺寸，即 2.54” x 1.13” x 0.95” (65mm x 28mm x 25mm)。

TIDA-00915 — 适用于集成型驱动器的三相、1.25kW、200VAC 的小型 GaN 转换器参考设计

该参考设计是一个三相逆变器，其在环境温度为 50°C 时连续额定功率为 1.25kW，在 85°C 时为 550W，用于驱动 200V 交流伺服电机。其具有 600V LMG3411R150 氮化镓 (GaN) 功率模块，并将一个集成 FET 和栅极驱动器安装在 1.95mm 绝缘金属基板 (IMS) 上，以获得高效热耗散。隔离和控制电路安装在单独的 FR-4 板上 - 该设计的尺寸是 80mm × 46mm × (...)