LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG342xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150 V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。 LMG3425R030 包含理想二极管模式，该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

• 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
• 带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET
  • 集成高精度栅极偏置电压
  • 200V/ns CMTI
  • 2.2MHz 开关频率
  • 30 V/ns 至 150 V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
  • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
• 强大的保护
  • 响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护
  • 硬开关时可承受 720V 浪涌
  • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
• 高级电源管理
  • 数字温度 PWM 输出
  • 理想二极管模式可减少 LMG3425R030 中的第三象限损耗

• VDS (Max) (V)
• 600
• RDS (on) (Milliohm)
• 30
• ID (Max) (A)
• 55
• Rating
• Catalog

LMG3422R030的完整型号有：LMG3422R030RQZR、LMG3422R030RQZT、XLMG3422R030RQZT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

LMG3422R030RQZR，工作温度：-40 to 150，封装： (RQZ)-54，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LMG3422R030RQZR的批量USD价格：8.97（1000+）

LMG3422R030RQZT，工作温度：-40 to 150，封装： (RQZ)-54，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-3-260C-168 HR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网LMG3422R030RQZT的批量USD价格：10.764（1000+）

XLMG3422R030RQZT，工作温度：-40 to 150，封装： (RQZ)-54，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Call TI，引脚镀层/焊球材料：Call TI，TI官网XLMG3422R030RQZT的批量USD价格：13.72（1000+）

LMG342X-BB-EVM — 适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板

LMG342X-BB-EVM 是易于使用的输出板，可将 LMG3422EVM-043 等各种 LMG342xR0x0 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 12A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30m? 半桥子卡

LMG3422EVM-043 将两个 LMG3422R030 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 需要与大型系统配合使用。

LMG3422R030 Unencrypted PSpice Model Package

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在?PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)

GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet (Rev. B)

此参考设计是一款 4kW CCM 图腾柱 PFC，采用 F280049/F280025 控制卡和 LMG342x EVM 电路板。此设计展示了一个强大的 PFC 解决方案，它通过将控制器接地置于 MOSFET 桥臂的中间来避免隔离式电流感应。得益于非隔离特性，可以通过高速放大器 OPA607 来实现交流电流感应，从而帮助实现可靠的过电流保护。在此设计中，效率、热感图像、交流压降、雷电浪涌和 EMI CE 均进行了充分的验证。该参考设计具有完整的测试数据，显示了图腾柱 PFC 通过 C2000 和 GaN 具有更高的成熟度，并且是高效产品 PFC 级设计的良好研究平台。

TIDA-010210 — 基于 GaN 的 11kW 双向三相 ANPC 参考设计

此参考设计提供了用于实现基于氮化镓 (GaN) 的三级三相 ANPC 逆变器功率级设计模板。使用快速开关型功率器件可实现 100kHz 的更高开关频率，不仅减小了滤波器磁性元件的尺寸，还提高了功率级的功率密度。多级拓扑允许在高达 1000V 的较高直流总线电压下使用额定电压为 600V 的功率器件。较低的开关电压应力可降低开关损耗，从而使峰值效率达到 98.5%。