ONET8551T 是一款高速、高增益、限幅互阻抗放大器，此放大器用在数据传输速率高达 11.3 Gbps 的光接收器中。 它特有低输入引入噪声，9GHz 带宽，10kΩ 小信号互阻，和一个接收信号强度指示器 (RSSI)。

ONET8551T 器件以芯片形式提供，其中包括一个片上 VCC 旁路电容器，并且针对晶体管型外壳结构 (TO can) 封装进行了优化。

ONET8551T 器件需要一个 +3.3V 单电源。 功效设计的功率耗散通常少于 95mW。 该器件可在 -40°C 至 100°C 外壳（IC 在背面）环境下工作。

• 9GHz 带宽
• 10kΩ 差分小信号互阻
• -20dBm 灵敏度
• 0.9μARMS 输入引入噪声
• 2.5mAp-p 输入过载电流
• 接收信号强度指示 (RSSI)
• 92mW 典型功率耗散
• 支持片上 50Ω 背向端接的电流模式逻辑 (CML) 数据输出
• 片上电源滤波电容器
• +3.3V 单电源
• 芯片尺寸：870μm x 1036μm

应用范围

• 10G 以太网
• 8G 和 10G 光纤通道
• 10G 以太无源光网络 (EPON)
• 同步光网络 (SONET) OC-192
• 6G 和 10G 通用公共无线接口 (CPRI) 和开放基站架构协议 (OBSAI)
• 光电二极管 (PIN) 和雪崩光电二极管 (APD) 预放大器接收器

• Type
• Transimpedance and limiting amplifier
• Data rate (Max) (Gbps)
• 11.3
• ICC (Typ) (mA)
• 28
• ICC (Max) (mA)
• 40
• DJ (Typ) (ps)
• 6
• Operating temperature range (C)
• -40 to 100

ONET8551T的完整型号有：ONET8551TY、ONET8551TYS4、ONET8551TYS9，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

ONET8551TY，工作温度：-40 to 100，封装： (Y)-0，包装数量MPQ：1800个，MSL 等级/回流焊峰值温度：-，引脚镀层/焊球材料：-，TI官网ONET8551TY的批量USD价格：1.496（1000+）

ONET8551TYS4，工作温度：-40 to 100，封装： (YS)-0，包装数量MPQ：1个，MSL 等级/回流焊峰值温度：-，引脚镀层/焊球材料：-，TI官网ONET8551TYS4的批量USD价格：1.496（1000+）

ONET8551TYS9，工作温度：-40 to 100，封装： (YS)-0，包装数量MPQ：1个，MSL 等级/回流焊峰值温度：-，引脚镀层/焊球材料：-，TI官网ONET8551TYS9的批量USD价格：1.496（1000+）

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如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表，请参阅：SpiceRack - 完整列表

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TIDA-00088 — 针对 TI 的 ONET 部件、采用 10G SFP+ LR 光纤模块兼容尺寸的完整参考设计

此德州仪器 (TI) 参考设计旨在演示 ONET1151L 激光驱动器、ONET8551T 高增益互阻抗放大器 (TIA) 和 ONET1151P 限幅放大器的光学性能。此参考设计提供与 10.3125Gbps SFP+ LR 光学模块兼容的小巧规格，采用 SFP+ 主机板和用户友好型 GUI，可帮助客户缩短评估时间。除各种 ONET 器件之外，该参考设计还包括一个 MSP430FR5728 微控制器（MCU，用于控制设置）和一个高效率 MicroSiP 降压转换器 TPS82693（用于为集成电路提供 2.85V 电源以降低模块功率损耗）。