REF2125 器件是低温度漂移(6ppm/°C)、低功耗、高
精度 CMOS 电压基准，具有 ±0.05% 初始精度、低运行电流以及小于 95µA 的功耗。该器件还提供 5µV_p-p/V 的极低输出噪声，这使得它在用于高分辨率数据转换器和噪声关键应用时能够保持高度的信号完整性。

该器件的低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了稳定性和系统可靠性。此外，器件的小尺寸和低运行电流 (95µA) 使其非常适合便携式和电池供电的应用 。

REF2125 具有宽额定温度范围（−40°C 至 +125°C）。有关其他电压选项，请联系 TI 销售代表。

 

 

• 初始精度：±0.05%（最大值）
• 温度系数：6ppm/°C（最大值）
• 运行温度范围：?40°C 至 +125°C
• 输出电流：±10mA
• 低静态电流：95μA（最大值）
• 宽输入电压：12V
• 输出 1/f 噪声（0.1Hz 至 10Hz）：5μVPP/V
• 出色的长期稳定性（30ppm/1000 小时）
• 小型 5 引脚 SOT-23 封装

• VO (V)
• 2.5
• Initial accuracy (Max) (%)
• 0.05
• Temp coeff (Max) (ppm/ degree C)
• 6
• Vin (Min) (V)
• 2.55
• Vin (Max) (V)
• 12
• Iq (Typ) (uA)
• 72
• Rating
• Catalog
• Features
• Clean-start
• Iout/Iz (Max) (mA)
• 10
• Shutdown current (ISD) (Typ) (uA)
• 1

REF2125的完整型号有：REF2125IDBVR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

REF2125IDBVR，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网REF2125IDBVR的批量USD价格：2.111（1000+）

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块

借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装，包括：

• D 和 U (SOIC-8)
• PW (TSSOP-8)
• DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
• DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
• DCK（SC70-6 和 SC70-5）
• DRL (SOT563-6)

REF2125 TINA-TI Reference Design

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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TIDA-010019 — 针对温度传感器中冷端补偿参考设计的 RTD 替代

使用热电偶 (TC) 的温度检测应用需要高精度本地温度传感器来实现高精度。在此参考设计中，突出显示并说明了针对诸如冷端补偿 (CJC) 或包含超低功耗 TC 模拟前端等设计难题的解决方案。对高精度 4mA 至 20mA 传感器的功耗性能和精度性能进行了优化，同时还展示了不同 CJC 和 TC 前端实现的性能。