SMV512K32-SP_TI 16MB 防辐射 SRAM

SMV512K32-SP的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：逻辑和电压转换
技术类目：专用逻辑 IC - FIFO 内存 IC
功能描述：16MB 防辐射 SRAM
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SMV512K32-SP的产品详情：

SMV512K32 是一款高性能异步 CMOS SRAM，由 32 位 524,288 个字组成。可在两种模式：主控或受控间进行引脚选择。主器件为用户提供了定义的自主 EDAC 擦除选项。从器件选择采用按要求擦除特性，此特性可由一个主器件启动。根据用户需要，可提供 3 个读周期和 4 个写周期（描述如下）。

SMV512K32-SP的优势和特性：

20ns 读取，13.8ns 写入（最大存取时间）
与商用 512K x 32 SRAM 器件功能兼容
内置 EDAC（错误侦测和校正）以减轻软错误
用于自主校正的内置引擎
CMOS 兼容输入和输出电平，3 态双向数据总线
- 3.3 ± 0.3V I/O，1.8 ± 0.15V 内核
辐射性能放射耐受性是一个基于最初器件标准的典型值。辐射数据和批量验收测试可用 - 细节请与厂家联系。
- 设计使用基底工程和抗辐射 (HBD) 与硅空间技术公司 (SST) 许可协议下的 TM 技术和存储器设计。
- TID 抗扰度 > 3e5 rad (Si)
- SER < 5e-17 翻转/位-天（使用 EDAC 和擦除的内核）使用 CREME96 来计算用于与地同步轨道，太阳安静期的 SER。
- 闭锁抗扰度 > LET = 110 MeV (T = 398K)
采用 76 引线陶瓷方形扁平封装
可提供工程评估 (/EM) 样品这些部件只用于工程评估。它们的加工工艺为非兼容流程（例如，无预烧过程等），并且只在 25°C 的温度额定值下进行测试。这些部件不适合于品质检定、生产、辐射测试或飞行使用。不担保完全军用额定温度 -55°C 至 125°C 范围内或使用寿命内的部件性能。

SMV512K32-SP的参数（英文）：

Supply voltage (Min) (V)
3
Supply voltage (Max) (V)
3.6
Input type
Standard CMOS
Output type
3-State
Clock Frequency (Max) (MHz)
22

SMV512K32-SP具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

SMV512K32-SP的完整型号有：5962-1123701VXC、SMV512K32HFG、SMV512K32HFG/EM，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

5962-1123701VXC，工作温度：-55 to 125，封装：CFP (HFG)-76，包装数量MPQ：1个，MSL 等级/回流焊峰值温度：N/A for Pkg Type，引脚镀层/焊球材料：AU，TI官网5962-1123701VXC的批量USD价格：5512.643（1000+）

SMV512K32HFG，工作温度：-55 to 125，封装：CFP (HFG)-76，包装数量MPQ：1个，MSL 等级/回流焊峰值温度：N/A for Pkg Type，引脚镀层/焊球材料：AU，TI官网SMV512K32HFG的批量USD价格：5512.643（1000+）

SMV512K32HFG/EM，工作温度：0 to 0，封装：CFP (HFG)-76，包装数量MPQ：1个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Call TI，引脚镀层/焊球材料：Call TI，TI官网SMV512K32HFG/EM的批量USD价格：1399（1000+）

SMV512K32-SP的评估套件：

SMV512K32-SP的电路图解：

SMV512K32-SP的评估套件：