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SN74LVC1G08的基本参数
快速报价,在行业拥有较高的知名度及影响力
SN74LVC1G08的产品详情:

按照设计,此单路双输入正与门可在 1.65V 至 5.5V VCC 电压下运行。

SN74LVC1G08 器件以正逻辑执行布尔函数或 。

CMOS 器件具有高输出驱动,同时在宽 VCC 工作范围内保持低静态功率耗散。

SN74LVC1G08 采用多种封装,包括外形尺寸为 0.8mm × 0.8mm 的超小型 DPW 封装。

SN74LVC1G08的优势和特性:
  • 采用具有 0.5mm 间距的超小型 0.64mm2 封装 (DPW)
  • 支持 5V VCC 运行
  • 输入电压高达 5.5V
  • 支持向下转换到 VCC
  • 电压为 3.3V 时,tpd 最大值为 3.6ns
  • 低功耗,ICC 最大值为 10μA
  • 电压为 3.3V 时,输出驱动为 ±24mA
  • Ioff 支持带电插入、局部关断模式和后驱动保护
  • 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2000V 人体放电模型 (A114-A)
    • 200V 机器模型 (A115-A)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
SN74LVC1G08的参数(英文):
  • Technology Family
  • LVC
  • Supply voltage (Min) (V)
  • 1.65
  • Supply voltage (Max) (V)
  • 5.5
  • Number of channels (#)
  • 1
  • Inputs per channel
  • 2
  • IOL (Max) (mA)
  • 32
  • IOH (Max) (mA)
  • -32
  • Input type
  • Standard CMOS
  • Output type
  • Push-Pull
  • Features
  • Partial power down (Ioff), Over-voltage tolerant inputs, Ultra high speed (tpd <5ns)
  • Data rate (Max) (Mbps)
  • 100
  • Rating
  • Catalog
  • Operating temperature range (C)
  • -40 to 125, -40 to 85
SN74LVC1G08具体的完整产品型号参数及价格(美元):

SN74LVC1G08的完整型号有:SN74LVC1G08DBVR、SN74LVC1G08DBVRG4、SN74LVC1G08DBVT、SN74LVC1G08DCK3、SN74LVC1G08DCKR、SN74LVC1G08DCKRG4、SN74LVC1G08DCKT、SN74LVC1G08DCKTG4、SN74LVC1G08DPWR、SN74LVC1G08DRLR、SN74LVC1G08DRY2、SN74LVC1G08DRYR、SN74LVC1G08DSF2、SN74LVC1G08DSFR、SN74LVC1G08YZPR,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

SN74LVC1G08DBVR,工作温度:-40 to 125,封装:SOT-23 (DBV)-5,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网SN74LVC1G08DBVR的批量USD价格:0.032(1000+)

SN74LVC1G08DBVRG4,工作温度:PropertyValue,封装:SOT-23 (DBV)-5,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网SN74LVC1G08DBVRG4的批量USD价格:0.081(1000+)

SN74LVC1G08DBVT,工作温度:-40 to 125,封装:SOT-23 (DBV)-5,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网SN74LVC1G08DBVT的批量USD价格:0.27(1000+)

SN74LVC1G08DCK3,工作温度:-40 to 125,封装:SC70 (DCK)-5,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SNBI,TI官网SN74LVC1G08DCK3的批量USD价格:0.074(1000+)

SN74LVC1G08DCKR,工作温度:-40 to 125,封装:SC70 (DCK)-5,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网SN74LVC1G08DCKR的批量USD价格:0.03(1000+)

SN74LVC1G08DCKRG4,工作温度:-40 to 125,封装:SC70 (DCK)-5,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网SN74LVC1G08DCKRG4的批量USD价格:0.081(1000+)

SN74LVC1G08DCKT,工作温度:-40 to 125,封装:SC70 (DCK)-5,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网SN74LVC1G08DCKT的批量USD价格:0.27(1000+)

SN74LVC1G08DCKTG4,工作温度:-40 to 125,封装:SC70 (DCK)-5,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网SN74LVC1G08DCKTG4的批量USD价格:0.281(1000+)

SN74LVC1G08DPWR,工作温度:-40 to 125,封装:X2SON (DPW)-5,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网SN74LVC1G08DPWR的批量USD价格:0.077(1000+)

SN74LVC1G08DRLR,工作温度:-40 to 125,封装:SOT-5X3 (DRL)-5,包装数量MPQ:4000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAUAG,TI官网SN74LVC1G08DRLR的批量USD价格:0.07(1000+)

SN74LVC1G08DRY2,工作温度:-40 to 125,封装:SON (DRY)-6,包装数量MPQ:5000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网SN74LVC1G08DRY2的批量USD价格:0.062(1000+)

SN74LVC1G08DRYR,工作温度:-40 to 125,封装:SON (DRY)-6,包装数量MPQ:5000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网SN74LVC1G08DRYR的批量USD价格:0.083(1000+)

SN74LVC1G08DSF2,工作温度:-40 to 125,封装:SON (DSF)-6,包装数量MPQ:5000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网SN74LVC1G08DSF2的批量USD价格:0.102(1000+)

SN74LVC1G08DSFR,工作温度:-40 to 125,封装:SON (DSF)-6,包装数量MPQ:5000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网SN74LVC1G08DSFR的批量USD价格:0.084(1000+)

SN74LVC1G08YZPR,工作温度:-40 to 85,封装:DSBGA (YZP)-5,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SNAGCU,TI官网SN74LVC1G08YZPR的批量USD价格:0.164(1000+)

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SN74LVC1G08的评估套件:

5-8-LOGIC-EVM — 支持 5 至 8 引脚 DCK、DCT、DCU、DRL 和 DBV 封装的通用逻辑 EVM

灵活的 EVM 设计用于支持具有 5 至 8 引脚数且采用 DCK、DCT、DCU、DRL 或 DBV 封装的任何器件。

EVMK2GX — 66AK2Gx 1GHz 评估模块

EVMK2GX(也称为“K2G”)1GHz 评估模块 (EVM) 可以让开发人员迅速开始评估 66AK2Gx 处理器系列,并加速音频、工业电机控制、智能电网保护和其他高可靠性实时计算密集型应用的开发。 66AK2Gx 与基于 KeyStone 的现有 SoC 器件类似,可以让 DSP 和 ARM 内核控制系统中的所有内存和外设。此架构有助于最大限度地提高软件灵活性,并可以在其中实现以 DSP 或 ARM 为中心的系统设计。

无论是 Linux 还是 TI-RTOS 操作系统,处理器 SDK 均支持此 EVM,而且此 EVM 采用 USB、PCIe 和千兆位以太网等主要外设。 (...)

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