The SN74LVC1G10 performs the Boolean function Y = A • B • C or Y = A + B + C in positive logic.

NanoFree™ package technology is a major breakthrough in IC packaging concepts, using the die as the package.

This device is fully specified for partial-power-down applications using I_off. The I_off circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.

• Available in the Texas Instruments NanoFree Package
• Supports 5-V VCC Operation
• Inputs Accept Voltages to 5.5 V
• Provides Down Translation to VCC
• Max tpd of 3.8 ns at 3.3 V
• Low Power Consumption, 10-μA Max ICC
• ±24-mA Output Drive at 3.3 V
• Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-Down Mode, and Back Drive Protection
• Latch-Up Performance Exceeds 100 mA per JESD 78, Class II
• ESD Protection Exceeds JESD 22
  • 2000-V Human-Body Model (A114-A)
  • 200-V Machine Model (A115-A)
  • 1000-V Charged Device Model (C101)

• Technology Family
• LVC
• Supply voltage (Min) (V)
• 1.65
• Supply voltage (Max) (V)
• 5.5
• Number of channels (#)
• 1
• Inputs per channel
• 3
• IOL (Max) (mA)
• 32
• IOH (Max) (mA)
• -32
• Input type
• Standard CMOS
• Output type
• Push-Pull
• Features
• Partial power down (Ioff), Over-voltage tolerant inputs, Ultra high speed (tpd <5ns)
• Data rate (Max) (Mbps)
• 100
• Rating
• Catalog

SN74LVC1G10的完整型号有：SN74LVC1G10DBVR、SN74LVC1G10DCKR、SN74LVC1G10DCKRG4、SN74LVC1G10DRYR、SN74LVC1G10DSFR、SN74LVC1G10YZPR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

SN74LVC1G10DBVR，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74LVC1G10DBVR的批量USD价格：.066（1000+）

SN74LVC1G10DCKR，工作温度：-40 to 125，封装：SC70 (DCK)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74LVC1G10DCKR的批量USD价格：.03（1000+）

SN74LVC1G10DCKRG4，工作温度：-40 to 125，封装：SC70 (DCK)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74LVC1G10DCKRG4的批量USD价格：.081（1000+）

SN74LVC1G10DRYR，工作温度：-40 to 125，封装：SON (DRY)-6，包装数量MPQ：5000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74LVC1G10DRYR的批量USD价格：.052（1000+）

SN74LVC1G10DSFR，工作温度：-40 to 125，封装：SON (DSF)-6，包装数量MPQ：5000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74LVC1G10DSFR的批量USD价格：.086（1000+）

SN74LVC1G10YZPR，工作温度：-40 to 85，封装：DSBGA (YZP)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网SN74LVC1G10YZPR的批量USD价格：.139（1000+）

5-8-LOGIC-EVM — 支持 5 至 8 引脚 DCK、DCT、DCU、DRL 和 DBV 封装的通用逻辑 EVM

灵活的 EVM 设计用于支持具有 5 至 8 引脚数且采用 DCK、DCT、DCU、DRL 或 DBV 封装的任何器件。

SN74LVC1G10 IBIS Model (Rev. A)

此参考设计采用隔离式 IGBT 栅极驱动器以及隔离式电流/电压传感器实现了增强型隔离式三相逆变器子系统。所用的 UCC23513 栅极驱动器采用 6 引脚宽体封装和 LED 光模拟输入，可用作现有光隔离式栅极驱动器的引脚对引脚替代品。此设计表明，可使用用于驱动光隔离式栅极驱动器的所有现有配置来驱动 UCC23513 输入级。使用 AMC1300B 隔离式放大器和直流链路电压实现基于同相分流电阻器的电机电流感应，使用 AMC1311 隔离式放大器实现 IGBT 模块温度感应。该设计使用 C2000™ LaunchPad™ 来控制逆变器。

TIDA-01540 — 采用具有内置死区时间插入功能的栅极驱动器的三相逆变器参考设计

TIDA-01540 参考设计可为增强型隔离式 10kW 三相逆变器降低系统成本并支持紧凑型设计。此设计在单个封装和自举配置中使用双栅极驱动器来为栅极驱动电源产生浮动电压，从而实现较低的系统成本和紧凑的外形尺寸。双栅极驱动器 UCC21520 具有可由电阻器选项进行配置的内置死区时间插入功能。由于输入 PWM 信号的重叠，这种独特的死区时间插入功能可为三相逆变器提供击穿保护。此设计通过防止过载、短路、接地故障、直流总线欠压和过压以及 IGBT 模块硬件过热问题来提高系统的可靠性。

TIDA-01541 — 用于三相逆变器的高带宽相电流和 DC-Link 电压检测参考设计

TIDA-01541 参考设计在三相逆变器中进行隔离式相电流和直流链路电压测量，能够降低系统成本并支持紧凑型设计，同时可实现高带宽和检测精度。隔离放大器的输出端通过差分到单端电路连接到 MCU 的内部 ADC。借助隔离放大器可以在 MCU 内部使用 SAR ADC，从而降低系统成本，而不必在电流检测方面进行任何折衷。8 引脚封装可减小电路板外形尺寸。借助隔离式放大器的高带宽能够在 3.5μs 内保护 IGBT，而借助高性能规格可实现高精度的电流和电压测量。直流链路电压测量是在高输入阻抗下完成的，因此可避免由高压分压器引起的源阻抗效应，从而提高精度。