SN74LVC1G86 器件以正逻辑执行布尔函数 Y = AB + AB。该单路 2 输入异或门适用于 1.65V 至 5.5V V_CC 运行环境。

如果一个输入为低电平，另一个输入则可在输出时重新生成真实形态。如果一个输入为高电平，另一个输入的信号则可在输出时重新生成反向信号。该器件功耗低，3.3V 和 15pF 电容性负载条件下 t_pd 最大值为 4ns。最大输出驱动为 ±32mA/4.5V 和 ±24mA/3.3V。

该器件完全 适用于 使用 I_off 的局部掉电应用。I_off 电路可禁用输出，以防在器件断电时电流回流对器件造成损坏。

• 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范的要求
  • 2000V 人体放电模型 (A114-A)
  • 1000V 组件充电模式 (C101)
• 适用于 –40°C 至 +125°C
• 支持 5V VCC 运行
• 输入为高达 5.5V 过压容差
• 支持下行转换到 VCC
• 3.3V 和 15pF 负载条件下 tpd 最大值为 4ns
• 低功耗，85°C 条件下 ICC 最大值为 10μA
• 电压为 3.3V 时，输出驱动为 ±24mA
• Ioff 支持部分断电模式和后驱动保护
• 采用德州仪器 (TI) 的 NanoFree?封装
• 锁断性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范的要求

• Technology Family
• LVC
• Supply voltage (Min) (V)
• 1.65
• Supply voltage (Max) (V)
• 5.5
• Number of channels (#)
• 1
• Inputs per channel
• 2
• IOL (Max) (mA)
• 32
• Input type
• Standard CMOS
• IOH (Max) (mA)
• -32
• Output type
• Push-Pull
• Features
• Partial power down (Ioff), Over-voltage tolerant Inputs, Ultra high speed (tpd <5ns)
• Data rate (Max) (Mbps)
• 100
• Rating
• Catalog
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125, -40 to 85

SN74LVC1G86的完整型号有：SN74LVC1G86DBVR、SN74LVC1G86DBVRG4、SN74LVC1G86DBVT、SN74LVC1G86DCKR、SN74LVC1G86DCKRG4、SN74LVC1G86DCKT、SN74LVC1G86DCKTG4、SN74LVC1G86DRLR、SN74LVC1G86YZPR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

SN74LVC1G86DBVR，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网SN74LVC1G86DBVR的批量USD价格：.032（1000+）

SN74LVC1G86DBVRG4，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74LVC1G86DBVRG4的批量USD价格：.084（1000+）

SN74LVC1G86DBVT，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网SN74LVC1G86DBVT的批量USD价格：.273（1000+）

SN74LVC1G86DCKR，工作温度：-40 to 125，封装：SC70 (DCK)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网SN74LVC1G86DCKR的批量USD价格：.027（1000+）

SN74LVC1G86DCKRG4，工作温度：-40 to 125，封装：SC70 (DCK)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74LVC1G86DCKRG4的批量USD价格：.084（1000+）

SN74LVC1G86DCKT，工作温度：-40 to 125，封装：SC70 (DCK)-5，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74LVC1G86DCKT的批量USD价格：.273（1000+）

SN74LVC1G86DCKTG4，工作温度：-40 to 125，封装：SC70 (DCK)-5，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74LVC1G86DCKTG4的批量USD价格：.284（1000+）

SN74LVC1G86DRLR，工作温度：-40 to 125，封装：SOT-5X3 (DRL)-5，包装数量MPQ：4000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网SN74LVC1G86DRLR的批量USD价格：.094（1000+）

SN74LVC1G86YZPR，工作温度：-40 to 85，封装：DSBGA (YZP)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网SN74LVC1G86YZPR的批量USD价格：.143（1000+）

5-8-LOGIC-EVM — 支持 5 至 8 引脚 DCK、DCT、DCU、DRL 和 DBV 封装的通用逻辑 EVM

灵活的 EVM 设计用于支持具有 5 至 8 引脚数且采用 DCK、DCT、DCU、DRL 或 DBV 封装的任何器件。

LMK5B33216EVM — 适用于 LMK5B33216 具有 BAW VCO 的 16 路输出、3 个 DPLL 和 APLL 网络同步器的评估模块

LMK5B33216 评估模块 (EVM) 平台用于开发 LMK5B33216 网络时钟发生器和同步器。该 EVM 可用于器件评估、合规性测试和系统原型设计。

LMK5B33216EVM 集成了三个模拟锁相环 (APLL) 和三个具有可编程环路带宽的数字 PLL (DPLL)。该 EVM 包含针对时钟输入、振荡器输入和时钟输出的超小型 A 版 (SMA) 连接器，以便连接到 50Ω 测试设备。通过板载温度补偿晶体振荡器 (TCXO)，可在自由运行、锁定或保持模式下评估 LMK5B33216。

通过板载 USB 微控制器 (MCU) 接口，可在 PC 上使用 TI 时钟和合成器 (TICS) (...)

LMK5B33414EVM — 适用于 LMK5B33414 具有 BAW VCO 的 14 路输出、3 个 DPLL 和 APLL 的网络同步器的评估模块

LMK5B33414 评估模块 (EVM) 是对 LMK5B33414 网络时钟发生器和同步器进行器件评估、合规性测试和系统原型设计的平台。

LMK5B33414 集成了三个模拟锁相环 (APLL) 和三个具有可编程环路带宽的数字 PLL (DPLL)。该 EVM 包含用于时钟输入、振荡器输入和时钟输出的超小型版本 A (SMA) 连接器，可将器件连接到 50Ω 测试设备。通过板载温度补偿晶体振荡器 (TCXO)，可在自由运行、锁定或保持模式下评估 LMK5B33414。

通过板载 USB 微控制器 (MCU) 接口，可在 PC 上使用 TI 时钟和合成器 (TICS) 专业版软件 (...)

TMAG5110-5111EVM — 适用于 TMAG511x 高灵敏度 2D 双通道霍尔效应锁存器的评估模块

TMAG5110-5111EVM 是一款具有两个霍尔锁存器的旋转编码板，这两个锁存器具有用于实现正交 (TMAG5110) 以及速度和方向输出 (TMAG5111) 的单独电路。它有两个不同的磁体以及两种磁体放置选项，可实现不受磁极间距和磁体位置影响的双锁存器功能。