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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:6-DSBGA(1x1.5)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
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CSD13306W 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:CSD13306W
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):3.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10.2m? @ 1.5A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):11.2nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1370pF @ 6V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.9W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:6-DSBGA(1x1.5)
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TSC2013-Q1:1.2V 至 3.6V、12 位、毫微功耗、4 线触摸屏控制器
TPS2022-Q1:Automotive 1A loading, 2.7-5.5V, 33mΩ USB power switch, active-low
ADS124S06:适用于精密传感器测量且具有 PGA 和电压基准的 24 位、4kSPS、6 通道 Δ-Σ ADC
DS90UB928Q-Q1:具有双向控制通道的 FPD-Link III 解串器
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